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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019990048515 | 1 | 2 | <ANY>제 1 도전형의 반도체영역</ANY><RELATION_5>을 갖는</RELATION_5> <COMPONENT>반도체기판</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990048515 | 1 | 3 | <ANY>상기 제 1 도전형의 상기 반도체영역의 표면상</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>게이트절연막</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990048515 | 1 | 4 | <ANY>상기 제 1 도전형의 상기 반도체영역의 표면상에 형성되고 소자형셩영역</ANY> <RELATION_622976>을 정의하는</RELATION_622976> <COMPONENT>소자격리막과</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990048515 | 1 | 5 | <ANY>상기 제 1 도전형의 상기 반도체영역에 형성되고 상기 제 1 도전형과 반대인 제 2 도전형을 가지며, 상기 제 1 도전형의 상기 반도체영역과 함께 보호다이오드로서의 역할</ANY><RELATION_89>을 하는</RELATION_89> <COMPONENT>제 1 확산영역</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990048515 | 1 | 6 | <ANY>상기 제 1 도전형의 상기 반도체영역에 형성되고 상기 제 2 도전형을 가지며, 각각이 소오스 또는 드레인으로서의 역할</ANY><RELATION_89>을 하는</RELATION_89> <COMPONENT>제 2 확산영역들</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990048515 | 1 | 7 | <ANY>제 1 도전층이 상기 게이트절연막 및 상기 제 2 확산층의 적어도 일부분상에 형성되고, 제 2 도전층이 상기 제 1 도전층 및 상기 제 1 확산층상에 형성되고 상기 제 1 도전층 및 상기 제 1 확산층과 전기적으로 접속되며, 상기 제 1 도전층 및 상기 제 2 도전층이 2층 구조를 갖는 게이트전극</ANY><RELATION_86>을 구성하는</RELATION_86> <COMPONENT>상기 제 1 도전층 및 상기 제 2 도전층</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990048515 | 1 | 8 | <ANY>상기 반도체기판상에 형성되고, 상기 제 2 도전막</ANY><RELATION_76>을 덮는</RELATION_76> <COMPONENT>제 1 절연막</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990048515 | 1 | 9 | <ANY>상기 제 1 절연막상에 형성되며, 상기 제 1 절연막에 형성된 적어도 하나의 콘택홀을 통해서 상기 제 2 도전층 또는 상기 제 2 확산영역에 전기적</ANY><RELATION_24>으로 접속되는</RELATION_24> <COMPONENT>제 1 금속배선층</COMPONENT>과; 그리고 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990048515 | 1 | 10 | <ANY>상기 제 1 절연막과 상기 제</ANY> <COMPONENT>1 금속배선층상</COMPONENT><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> 제 2 절연막<RELATION_SEP>을 구비하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 28 | 1 | <ANY>기판</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>mis 트랜지스터</COMPONENT>와, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 28 | 2 | <ANY>상기 기판 상</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>제1 금속 배선층</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 28 | 3 | <ANY>상기 기판과 제1 금속 배선층 사이의 중간층과,</ANY> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 28 | 4 | <ANY>상기 제1 금속 배선층 상</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>제2 금속 배선층</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 28 | 5 | <RELATION_1>을 포함하며</RELATION_1>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 28 | 6 | <ANY>상기 mis 트랜지스터의 소스·드레인 경로에 접속되는 전원 배선 중 적어도 일부가 상기</ANY> <COMPONENT>제2 금속 배선층</COMPONENT><RELATION_38>으로 구성되고</RELATION_38>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 28 | 7 | <ANY>상기 mis 트랜지스터의 기판 전위를 제어하는 기판 전위 배선이 적어도 일부가 상기 중간층 내에 형성되는 컨택트 홀 내에 형성된</ANY> <COMPONENT>도전체</COMPONENT><RELATION_938>에 의해 구성되며</RELATION_938>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 28 | 8 | <COMPONENT>상기 전원 배선과 컨택트 홀</COMPONENT><RELATION_34215>이 오버랩하는</RELATION_34215> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 집적 회로 장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 19 | 1 | <ANY>기판 위</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>제1 배선층</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 19 | 2 | <ANY>상기 제1 배선층 위</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>중간층</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 19 | 3 | <ANY>상기 중간층 위</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>제2 배선층</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |