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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019990049354 | 33 | 7 | <ANY>상기 메모리 셀에의 입력 또는 출력 데이타 신호를 전송하는 비트선 중 적어도 일부가 상기</ANY> <COMPONENT>제1 금속 배선층</COMPONENT><RELATION_27>으로 구성되는</RELATION_27> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 집적 회로 장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 18 | 1 | <ANY>기판</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>확산층</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 18 | 2 | <ANY>상기 기판 위</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>중간층</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 18 | 3 | <ANY>상기 중간층 위</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>배선층</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 18 | 4 | <ANY>상기 확산층과 배선층을 전기적으로 접속하기 위해 상기 중간층 중</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>컨택트 홀</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 18 | 5 | <RELATION_1>을 포함하며</RELATION_1>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 18 | 6 | <ANY>상기 기판면 상에 xy 평면</ANY><RELATION_38093>을 가정한</RELATION_38093> <COMPONENT>경우</COMPONENT>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 18 | 7 | <ANY>상기 확산층과 컨택트 홀과의 접촉 부분의 상기 xy 평면에의 사영의 형상과, 상기 배선층과 컨택트 홀의 접촉 부분의 상기 xy 평면에의 사영의 형상이, 오버랩하지 않은</ANY> <COMPONENT>부분</COMPONENT><RELATION_377>을 구비하여 이루어지는</RELATION_377> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 집적 회로 장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 30 | 1 | <ANY>기판</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>mis 트랜지스터</COMPONENT>와, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 30 | 2 | <ANY>상기 기판 상</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>제1 금속 배선층</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 30 | 3 | <ANY>상기 제1 금속 배선층 상</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>제2 금속 배선층</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 30 | 4 | <RELATION_1>을 포함하며</RELATION_1>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 30 | 5 | <ANY>상기 mis 트랜지스터의 소스·드레인 경로에 접속되는 전원 배선 중 적어도 일부가 상기</ANY> <COMPONENT>제2 금속 배선층</COMPONENT><RELATION_38>으로 구성되고</RELATION_38>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 30 | 6 | <ANY>상기 mis 트랜지스터의 기판 전위를 제어하는 기판 전위 배선 중 적어도 일부가 상기</ANY> <COMPONENT>제1 금속 배선층</COMPONENT><RELATION_38>으로 구성되며</RELATION_38>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 30 | 7 | <ANY>상기 제1 금속 배선층이 텅스텐을 주성분으로 하여 형성되고,</ANY> <COMPONENT>상기 제2 금속 배선층이 구리</COMPONENT><RELATION_432619>를 주성분으로 하여 형성된</RELATION_432619> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 집적 회로 장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 14 | 1 | <ANY>기판</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>mis 트랜지스터</COMPONENT>와, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 14 | 2 | <ANY>상기 기판 위</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>제1 배선층</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 14 | 3 | <ANY>상기 제1 배선층 위</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>제2 배선층</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 14 | 4 | <ANY>상기 mis 트랜지스터의 소스, 게이트, 드레인, 상기 제1 배선층, 및 상기 제2 배선층 중 2개</ANY><RELATION_505>를 전기적으로 접속하는</RELATION_505> <COMPONENT>컨택트 홀</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 14 | 5 | <RELATION_1>을 포함하며</RELATION_1>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |