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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019997007578 | 1 | 1 | <COMPONENT>부<PATENT_ITEM>구조</PATENT_ITEM>;</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019997007578 | 1 | 2 | <ANY>상기 부구조에 걸쳐 위치되는 다수의 전자 에미터, 각각의 에미터는 니켈, 팔라듐, 백금, 탄탈륨, 티타늄, 로듐, 크롬 및 바나듐으로부터 선택되는</ANY> <COMPONENT>전기적으로 비절연물질</COMPONENT><RELATION_1>을 포함하고</RELATION_1>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019997007578 | 1 | 3 | <ANY>상기 전자 에미터 각각에 걸쳐 코팅되는</ANY> <COMPONENT>탄소함유층</COMPONENT><RELATION_6>을 구비하는</RELATION_6> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>구조</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019997007578 | 6 | 1 | <ANY>양극층과 광방출층</ANY><RELATION_15>을 가지는</RELATION_15> <COMPONENT>디스플레이 패널</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019997007578 | 6 | 2 | <ANY>상기 디스플레이 패널로부터 일정한 간격</ANY><RELATION_435793>을 둔 배열로 침전되는</RELATION_435793> <COMPONENT>뒤판</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019997007578 | 6 | 3 | <ANY>상기 뒤판</ANY><RELATION_124217>에 걸쳐 위치되는</RELATION_124217> <COMPONENT>전기적으로 비절연 에미터층</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019997007578 | 6 | 4 | <ANY>상기 에미터층에 걸쳐 위치되는 다수의 전자 에미터, 각각의 에미터는 니켈, 팔라듐, 백금, 탄탈륨, 티타늄, 로듐, 크롬 및 바나듐으로부터 선택되는</ANY> <COMPONENT>전기적으로 비절연물질</COMPONENT><RELATION_8>을 구비하고</RELATION_8>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019997007578 | 6 | 5 | <ANY>상기 전자 에미터의 각각에 걸쳐 코팅되는</ANY> <COMPONENT>탄소함유층</COMPONENT><RELATION_6>을 구비하는</RELATION_6> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>평면 패널 디스플레이 구조</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019997007726 | 153 | 1 | <ANY>증가된 반사 전력 능력을 가진</ANY> <PATENT_ITEM>고전력 고주파 발생기</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019997007726 | 153 | 2 | <ANY>a) 상기 디바이스에 대한 특정 다이 온도에서 정격 출력 전력을 통상 설계 로드로 보내기 위해 출력 반도체 디바이스</ANY><RELATION_15>를 가진</RELATION_15> <COMPONENT>발생기</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019997007726 | 153 | 3 | <ANY>b) 상기 정격 출력 전력에서 상기 다이 온도를 상기 설계 로드로 유지시키는데 필요한 것 이상으로 연속 냉각시키는 상기 디바이스</ANY><RELATION_59>에 대한</RELATION_59> <COMPONENT>증가된 냉각 능력</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019997007726 | 153 | 4 | <RELATION_3>을 포함하는</RELATION_3> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>고전력 고주파 발생기</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019997007726 | 163 | 1 | <ANY>증가된 반사 전력 능력을 가진 고전력 고주파 발생기</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019997007726 | 163 | 2 | <ANY>a) 상기 디바이스에 대한 특정 다이 온도에서 정격 출력 전력을 통상 설계 로드로 보내기 위해 출력 반도체 디바이스</ANY><RELATION_6>를 구비한</RELATION_6> <COMPONENT>발생기</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019997007726 | 163 | 3 | <ANY>b) 상기 디바이스로 역전송되는 어떠한 반사 전력</ANY><RELATION_435805>도 블로킹하는</RELATION_435805> <COMPONENT>블로킹 소자</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019997007726 | 163 | 4 | <RELATION_3>를 포함하는</RELATION_3> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>고전력 고주파 전력 발생기</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019997007726 | 24 | 1 | <ANY>전력</ANY><RELATION_15844>을 공급하기 위하여</RELATION_15844> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019997007726 | 24 | 2 | <ANY>a) dc 전위</ANY><RELATION_15>를 가진</RELATION_15> <COMPONENT>전원</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019997007726 | 24 | 3 | <ANY>b) 적어도 하나의 고주파 구동 신호</ANY><RELATION_22>를 공급하는</RELATION_22> <COMPONENT>적어도 하나의 구동기</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019997007726 | 24 | 4 | <ANY>c) 고주파 출력을 가진 상기 고주파 구동 신호에 응답하고, 서로간에 상기 전위 이하</ANY><RELATION_435806>로 인가되어 연결되는</RELATION_435806> <COMPONENT>복수의 전력 증폭기</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |