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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1020007006003 | 8 | 4 | <ANY>상기 기판 반송시에 상기 제 1 및 제 2 아암의 간격을 유지하면서 상기 제 1 및 제 2 아암을 이동시키고 상기 기판을 수수할 때에 상기 제 1 및 제 2 아암의 간격을 변화시키는</ANY> <COMPONENT>아암구동장치</COMPONENT><RELATION_6>를 구비하는</RELATION_6> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>기판반송장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020007006594 | 26 | 1 | <ANY>채널영역과, 상기 채널영역의 양측에 배치된 소스영역 및 드레인영역을 가지는 결정질 반도체층이 기판상에 형성되어 이루어지는</ANY> <PATENT_ITEM>반도체소자</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020007006594 | 26 | 2 | <ANY>상기 결정질 반도체층은 비단결정질박막</ANY><RELATION_442192>을 결정화하여 이루어지는</RELATION_442192> 것이며, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020007006594 | 26 | 3 | <COMPONENT>상기 결정질 반도체층의 최소한 채널영역에는 결정성장방향</COMPONENT><RELATION_626646>을 제어하는 결정성장방향 제어공극이 형성되어 있는</RELATION_626646> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체소자</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020007006594 | 10 | 1 | <COMPONENT>기판 상과</COMPONENT>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020007006594 | 10 | 2 | <ANY>상기 기판상에 적층되어, 제 1 열전도율을 가지는 제 1 절연막 및 상기 제 1 열전도율과 다른 제 2열전도율을 가지며, 부분적인 영역에 선택적</ANY><RELATION_4>으로 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제 2 절연막</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020007006594 | 10 | 3 | <ANY>상기 제 1 절연막 및 제 2 절연막상에 적층된 비(非)단결정 반도체박막이 에너지빔의 조사(照射)에 의해 결정성장한 반도체박막</ANY><RELATION_15>을 가지는</RELATION_15> <COMPONENT>반도체소자</COMPONENT>로서, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020007006594 | 10 | 4 | <ANY>상기 결정성장한 반도체박막에 있어서의 상기 제 1 절연막과 상기 제 2 절연막중 열전도율이 높은 쪽에 대응하는</ANY> <COMPONENT>영역이 전류경로중</COMPONENT><RELATION_106>에 형성되어 있는</RELATION_106> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체소자</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020007006594 | 97 | 1 | <COMPONENT>에너지빔 발생수단</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020007006594 | 97 | 2 | <ANY>상기 에너지빔 발생수단에서 발생된 에너지빔을 에너지가 균일한 소정의 빔단면형상으로 정형하는</ANY> <COMPONENT>균일화수단</COMPONENT><RELATION_8>을 구비하고</RELATION_8>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020007006594 | 97 | 3 | <ANY>상기 정형된 에너지빔을 기판상에 형성된 비단결정 반도체박막</ANY><RELATION_442194>에 조사하여 결정 성장시키는</RELATION_442194> <COMPONENT>반도체박막의 제조장치</COMPONENT>로서, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020007006594 | 97 | 4 | <ANY>상기 균일화수단이 에너지빔을 복수의 빔단면형상으로 선택적으로 전환하여 정형할 수 있도록 구성되어 있는</ANY> <COMPONENT>것</COMPONENT><RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체박막의 제조장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020007006594 | 17 | 1 | <ANY>비단결정질 반도체박막이 에너지빔의 조사에 의해 결정성장한 반도체박막으</ANY> <RELATION_531862>을 가지는</RELATION_531862> <PATENT_ITEM>반도체소자</PATENT_ITEM>로서, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020007006594 | 17 | 2 | <ANY>상기 반도체박막의 주위 에지부에, 상기 반도체박막과 동일 평면내에서 바깥쪽으로 뻗은</ANY> <COMPONENT>돌기부</COMPONENT><RELATION_134>가 형성되어 있는</RELATION_134> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체소자</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020007006594 | 12 | 1 | <ANY>비단결정질</ANY> <PATENT_ITEM>반도체박막</PATENT_ITEM>이 에너지빔의 조사<RELATION_442196>에 의해 결정성장한</RELATION_442196> <COMPONENT>반도체박막</COMPONENT>으로서, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020007006594 | 12 | 2 | <ANY>상기 반도체박막의 주위 에지부에, 상기 반도체박막과 동일 평면내에서 바깥쪽으로 뻗은</ANY> <COMPONENT>돌기부</COMPONENT><RELATION_134>가 형성되어 있는</RELATION_134> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체박막</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020007006594 | 94 | 1 | <COMPONENT>에너지빔발생수단</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020007006594 | 94 | 2 | <ANY>상기 에너지빔발생수단에서 발생된 에너지빔을 에너지가 균일한 소정의 빔단면형상으로 정형하는</ANY> <COMPONENT>균일화수단</COMPONENT><RELATION_8>을 구비하고</RELATION_8>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020007006594 | 94 | 3 | <ANY>상기 정형된 에너지빔을 기판상에 형성된 비단결정 반도체박막</ANY><RELATION_442194>에 조사하여 결정 성장시키는</RELATION_442194> <COMPONENT>반도체박막의 제조장치</COMPONENT>로서, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1020007006594 | 94 | 4 | <ANY>또한 상기 에너지빔의 투과율이 서로 다른 영역을 가지는</ANY> <COMPONENT>필터</COMPONENT><RELATION_8>를 구비하고</RELATION_8>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |