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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019870001147 | 12 | 1 | <ANY>(a) 금속 혹은 금속적 전도성의 기저에, 혹은 기저에 놓여지는 금속 혹은 금속적 전도층에 저장용 캐패시터의 면적에 상응하는 면적으로 트렌치</ANY><RELATION_1500>를 제작하는</RELATION_1500> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870001147 | 12 | 2 | <ANY>(b) 기저 혹은 상기 층의 전 표면을 산화하거나 그 위에 절연층을 용착시킴으로써, 캐패시터의 유전체로써 사용될 수 있는 절연층</ANY><RELATION_1500>을 제작하는</RELATION_1500> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870001147 | 12 | 3 | <ANY>(c) 트렌치가 완전히 채워질때까지 전 표면 위에 전도층</ANY><RELATION_189001>을 용착시키는</RELATION_189001> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870001147 | 12 | 4 | <ANY>(d) 상기 중간 절연층으로써 사용할 수 있도록 층의 전 표면에 유전물질</ANY><RELATION_189001>을 용착시키는</RELATION_189001> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870001147 | 12 | 5 | <ANY>(e) 캐패시터 전극들을 형성하는 채워진 트렌치에 연결되도록 상기 중간 절연층에 접촉구멍들</ANY><RELATION_20>을 형성하는</RELATION_20> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870001147 | 12 | 6 | <ANY>(f) 접촉구멍들</ANY><RELATION_399006>을 전기적 전도물질로 채우는</RELATION_399006> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870001147 | 12 | 7 | <ANY>(g) 용착기간 중에 혹은 그후의 채널형태에 따라 알맞은 곳에 도우핑된 다결정 혹은 비결정 규소층으로 전 표면을 용착시키고, 이 층</ANY><RELATION_399005>을 다결정 상태로 전환시키는</RELATION_399005> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870001147 | 12 | 8 | <ANY>(h) 서로 고립된 전계효과 트랜지스터를 공지된 방법으로 상기 규소 층</ANY><RELATION_21651>에 제작하는</RELATION_21651> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870001147 | 12 | 9 | <ANY>(i) 상기 트랜지스터의 소오스 및 드레인지역을 형성한 후에 도우핑 물질을 도입함으로써, 아직은 비트라인과 접촉되어 있지 않은 전계효과 트랜지스터의 소오스 및 드레인지역</ANY> <COMPONENT>중의 하나와 캐패시터 사이</COMPONENT><RELATION_624212>를 전도적으로 접촉시키는</RELATION_624212> 단계<RELATION_SEP>로 이루어진</RELATION_SEP>, <PATENT_ITEM>제 1 항의 3차원적 1-트랜지스터 셀의 제조공정</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870001173 | 11 | 1 | <PATENT_ITEM>ecl 회로</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870001173 | 11 | 2 | <ANY>(a) i. 제 1 및 제 2 입력 콘덕터에 각각 접속되는 베이스와 제 1 정전류원에 접속되는 에미터</ANY><RELATION_5>를 갖는</RELATION_5> <COMPONENT>제 1 및 제 2 트랜지스터</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870001173 | 11 | 3 | <ANY>ⅱ. 제 1 전압을 갖는 제 1 공급전압 콘덕터에 접속되는 제 1 단을 가지며, 제 1 및 제 2 트랜지스터의 콜렉터에 각각 접속되는 제 2 단</ANY><RELATION_5>을 갖는</RELATION_5> <COMPONENT>제 1 및 제 2 부하저항</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870001173 | 11 | 4 | <ANY>ⅲ. 제 1 및 제 2 트랜지스터의 콜렉터에 각각 접속되는 입력을 가지며 또한 제 1 및 제 2 출력 콘덕터에 각각 접속되는 출력을 갖는 제 1 및 제 2 에미터 플로워</ANY><RELATION_27>로 구성되는</RELATION_27> <COMPONENT>제 1 스테이지</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870001173 | 11 | 5 | <ANY>(b) 제 1 공급전압 콘덕터에 연결되는 양극 및 제 1 전압 이하의 다이오드 강하인 제 2 전압을 발생하시위하여 제 2 공급전압에 연결되는 음극</ANY><RELATION_5>을 갖는</RELATION_5> <COMPONENT>다이오드</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870001173 | 11 | 6 | <ANY>(c) i. 제 3 트랜지스터의 콜렉터는 제 4 트랜지스터의 베이스에 직접 접속되며 제 4 트랜지스터의 콜렉터는 제 3 트랜지스터의 베이스에 직접 접속되며 제 2 정전류원에 접속되는 에미터</ANY><RELATION_5>를 갖는</RELATION_5> <COMPONENT>제 3 및 제 4 트랜지스터</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870001173 | 11 | 7 | <ANY>ⅱ. 제 3 및 제 4 트랜지스터의 콜렉터에 각각 접속되는 제 1 단 및 제 2 공급전압 콘덕터에 접속되는 제 2 단을 갖는 제 3 및 제 4 부하저항</ANY><RELATION_27>으로 구성되는</RELATION_27> <COMPONENT>제 2 스테이지</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870001173 | 11 | 8 | <ANY>(d) 제 2 스테이지가 제 1 및 제 2 트랜지스터의 포화가 발생하지 않도록 제 3 및 제 4 트랜지스터의 콜렉터에 대략 0.8볼트의 ecl 전압 진폭을 발생하게 하는</ANY> <COMPONENT>수단</COMPONENT><RELATION_3>을 포함하는</RELATION_3> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>ecl 회로</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870001173 | 1 | 1 | <ANY>접지 전압 콘덕터의 접지 전압과 제 1 공급전압 콘덕터의 포지티브 제 1 공급전압 사이에 있는 ttl논리레벨을 갖는 제 1 신호를 접지전압과 제 2 공급전압 콘덕터의 네가티브 제 2 공급전압 사이에 있는 ecl 논리레벨을 갖는 대응 상보 제 2 및 제 3 신호로 변환하기 위한</ANY> <PATENT_ITEM>집적레벨 시프팅 회로</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870001173 | 1 | 2 | <ANY>(a) 정전류</ANY><RELATION_22>를 공급하는</RELATION_22> <COMPONENT>수단</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870001173 | 1 | 3 | <ANY>(b) 제 1 공급전압 콘덕터에 접속되는 정전류발생수단에 접속되는 에미터 및 제 1 전압 기준콘덕터에 접속되는 베이스</ANY><RELATION_5>를 갖는</RELATION_5> <COMPONENT>제 1 래터럴 pnp 트랜지스터</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |