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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019880016434 | 22 | 1 | <ANY>광신호를 전기신호로 변환하고, 측정하기 위하여 2차원형상으로 배치된 수광수단과, 이 수광수단의 전기신호를 증폭하기 위한 증폭수단을 각각의 수광수단의 근처에 가지며, 또 상기 증폭수단의 증폭신호를 선택적으로 주사출력하기 위한 출력수단과, 복수의 상기 수광수단의 동시각에 리세트하는 수단</ANY><RELATION_400390>을 가진 고체촬상장치에 있어서</RELATION_400390> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880016434 | 22 | 2 | <ANY>상기 출력수단의 일부로서 복수개의 용량을 배설하고, 상기 증폭신호의 출력은, 일단 복수의 증폭수단의 증폭출력전하를 동시각에 상기 용량에 입력한후, 상기 량을 주사하고, 상기 용량에 축적되고 있던 증폭신호을 읽어내므로서 행하는</ANY> <COMPONENT>구조</COMPONENT><RELATION_15>를 가진</RELATION_15> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>고체촬상장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880017732 | 1 | 1 | <ANY>표면</ANY><RELATION_2816>을 갖추고 있는</RELATION_2816> <COMPONENT>반도체기판(42,100,150)</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880017732 | 1 | 2 | <ANY>기억장치의 주변회로를 구성하는 트랜지스터가 형성되어 있는 웰영역과는 분리되어 제공되게끔 상기 기판(42,100,150)의 표면</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>반도체 웰영역(40,102)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880017732 | 1 | 3 | <ANY>상기 기판상</ANY><RELATION_29>에 설치되는</RELATION_29> <COMPONENT>병렬비트선(bl)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880017732 | 1 | 4 | <ANY>메모리셀트랜지스터를 위한 서페이스 브레이크다운방지층으로 기능하는 상기 웨영역(40,102)내에 형성되어 소오스 및 드레인으로도 작용하는 반도체층(68,70,72,74,76,78, ; 106,108,110,112,112,116)과 전하축적층(50) 및 제어게이트(54)를 포함하여 이루어진 일련의 메모리셀트랜지스터를 구비하고서 nand셀블럭(b1)을 구성하도록 상기 비트선(bl)에 접속되는 바꿔쓰기</ANY><RELATION_151>가 가능한</RELATION_151> <COMPONENT>다수의 메모리셀(m)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880017732 | 1 | 5 | <ANY>선택된 nand셀블럭(b1)의 어떤 메모리셀이 기록대상으로 될 때 그 메모리셀의 전하축적층(50) 및 웰영역(40,102)과의 사이에서 전하가 이동하는 것을 허용할 정도로 강한 전계를 형성하는 레벨의 전압을 상기한 어떤 메모리셀의 제어게이트(54)에 공급하도록 되어있으면서, 상기 기억장치의 데이터소거모드시에는 모든 메모셀에 격납되어 있는 데이터를 동시에 소거하고, 상기 데이터소거모드에 연이은 데이터기록모드시에는 선택된 nand셀블럭(b1)의 메모리셀(m1~m4)에 대해 연속적으로 데이터를 기록하는</ANY> <COMPONENT>제어수단(12,14)</COMPONENT><RELATION_442>을 구비하여 구성된</RELATION_442> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>불휘발성 반도체기억장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880017732 | 7 | 1 | <ANY>표면에 반도체웰영역(40,102)</ANY><RELATION_13>이 형성되는</RELATION_13> <COMPONENT>반도체기판(42,100,150)</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880017732 | 7 | 2 | <ANY>이 반도체기판(42,100,150)상</ANY><RELATION_29>에 설치되는</RELATION_29> <COMPONENT>병렬비트선(bl)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880017732 | 7 | 3 | <ANY>이 병렬비트선(bl)과 절연적</ANY><RELATION_2320>으로 교차하는</RELATION_2320> <COMPONENT>병렬워드선(wl)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880017732 | 7 | 4 | <ANY>상기 웰영역(40,102)내에 형성되며 소오스 및 드레인으로 기능하는 반도체층과, 전하축적층으로서 기능하며 전기적으로 부유적인 게이트층(28) 및, 대응되는 워드선에 접속되는 제어게이트층(32)을 구비하여 이루어져 있으면서 nand셀블럭을 구성하는 일련의 셀트랜지스터로 된 일련의 회로를 갖추고 있는 셀어레이를 포함하고 있으며, 상기 비트선(bl) 및 워드선(wl)의 교점에 각각 설치되어 메모리셀</ANY><RELATION_494>로서 기능하는</RELATION_494> <COMPONENT>다수의 더블게이트전계효과트랜지스터(m)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880017732 | 7 | 5 | <ANY>상기 nand셀블럭의 한쪽 종단에 설치되어 선택적으로 도통되는 제1선택트랜지스터</ANY><RELATION_494>로 기능하는</RELATION_494> <COMPONENT>전계효과트랜지스터(qs1)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880017732 | 7 | 6 | <ANY>상기 nand셀블럭의 다른 한쪽 종단에 설치되어 선택적으로 도통되는 제2선택트랜지스터</ANY><RELATION_494>로 기능하는</RELATION_494> <COMPONENT>전계효과트랜지스터(qs2)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880017732 | 7 | 7 | <ANY>데이터기록모드시에 상기 nand셀블럭(b1)이 선택된 때, ① 상기 제1선택트랜지스터(qs1)를 도통시켜서 상기 nand셀블럭을 기록데이터가 공급되는 대응비트선(b1)에 접속시키고, ② 상기 제2선택트랜지스터(qs2)를 비도통상태로 만들어 상기 nand셀블럭을 상기 웰영역으로부터 부터 분리시키며, ③ 상기 nand셀블럭(b1)의 메모리셀(m1~m4)에 대해 연속적으로 데이터를 기록하고, 또한 반도체기억장치의 기록모드 이전에 실시되는 일괄소거모드시의 상기 웰영역의 전위와 다른 전위레벨을 갖도록 상기 웰영역의 전위(vwell)를 체크하는</ANY> <COMPONENT>구동수단(12,14)</COMPONENT><RELATION_442>을 구비하여 구성된</RELATION_442> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>불휘발성 반도체기억장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880017746 | 1 | 1 | <ANY>각각의 단말기기(20a-20n)에 특유의 데이터(40)</ANY><RELATION_401122>를 생산하기 위하여 제어되는</RELATION_401122> <COMPONENT>다수개의 단말장치(20a-20n)</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880017746 | 1 | 2 | <ANY>대응하는 단말장치(20a-20n)에 연결되는 다수개의 통신장치(10a-10n)로서, 데이터신호(45)를 만들기 위하여 동기신호(50)를 발생하고 그 동기신호(50)를 시분할방식으로 특정데이터(40)에 부가하기 위한 적어도 하나의 동기신호발생기(2a-2n)와, 각각의 단말장치(20a-20n)의 제어조건을 판다하고 또한 데이터 처리장치(4a-4n)를 구동하기 위한 동력을 만들도록 데이터신호(45)를 처리하기 위한 데이터처리장치(4a-4n)와</ANY><RELATION_3>를 포함하는</RELATION_3> <COMPONENT>통신장치(10a-10n)</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880017746 | 1 | 3 | <ANY>데이터신호(45)를 통신장치(10a-10n)와 전달하여, 그로써 통신장치들(10a-10n)사이에서 동시에 데이터 송.수신이 수행되도록 상기 다수개의 통신장치(10a-10n)</ANY><RELATION_679>를 연결하기 위한</RELATION_679> <COMPONENT>공통의 전송로(30)</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880017746 | 1 | 4 | <RELATION_SEP>로 구성되는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>데이터 및 전력 송.수신 시스템(100)</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880018217 | 1 | 1 | <ANY>-전원이 인가되는 전원단자, 접지단자 및 집적회로의 전원</ANY><RELATION_401342>을 인에이블 또는 디스에이블 시키는</RELATION_401342> <COMPONENT>출력단자</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019880018217 | 1 | 2 | <ANY>-접지단자와 제1회로노드 사이에 연결되며, 그 충전이 전원단자와 제1호로 노드사이에 연결된 제1의 p형 트랜지스터</ANY><RELATION_401340>를 경유하여 제어되는</RELATION_401340> <COMPONENT>제1커패시터</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |