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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019920001433 | 8 | 2 | <ANY>각각 대응하는</ANY> <COMPONENT>콘의 팁</COMPONENT><RELATION_170>을 둘러싸는</RELATION_170> 복수의 개구<RELATION_SEP>를 갖는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>게이트 전극을 구비하며, 상기 각 콘의 팁이 전계방출로 인해서 전자빔을 방출하며, 상기 각 콘의 팁이 전계방출로 인해서 전자빔을 방출하며. 상기 콘들은, 각각 수개의 콘으로 된 소블록들로 그룹화되고, 이 소블록들은 게이트 전극부를 갖으며, 상기 소블록들의 게이트 전극부가 고저항재료로 구성돼 있는 것이 특징인 전계방출 마이크로캐소드 어레이</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019920001433 | 10 | 1 | <ANY>각각의 팁이 첨예한 복수의 콘들이 위</ANY><RELATION_404589>에 형성돼 있는</RELATION_404589> <COMPONENT>기판</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019920001433 | 10 | 2 | <ANY>각각 대응하는</ANY> <COMPONENT>콘의 팁</COMPONENT><RELATION_170>을 둘러싸는</RELATION_170> 복수의 개구<RELATION_SEP>를 갖는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>게이트 전극을 구비하며, 상기 각 콘의 팁이 전계방출로 인해서 전자빔을 방출하며, 상기 개구들은 상이한 크기로 혼합되어상기 게이트 전극상에 형성돼 있는 것이 특징인 전계방출 마이크로캐소드 어레이</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019920003388 | 1 | 1 | <ANY>렌즈를 통하여 수신된 광학적 신호를 전기적 영상신호로 변환하는 고체촬상소자(ccd)통하여 수신된 후, 이중 샘플링을 행하는 칼라이중 샘플링회로(cds)거치고, 아날로그 신호를 디지탈 신호로 변환하는 a/d변환기</ANY><RELATION_18371>로 입력되도록 구성된</RELATION_18371> <COMPONENT>신호 입력부(1)</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019920003388 | 1 | 2 | <ANY>상기 신호 입력부(1)로 부터 수신된 휘도신호를 감마보정부에서 감마보정되고, 영역분할 검출부에서 소정의 갯수로 분할하여 제어를 위한 평가치</ANY><RELATION_49>를 산출하는</RELATION_49> <COMPONENT>디지탈 카메라 프로세싱부(2)</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019920003388 | 1 | 3 | <ANY>상기 디지탈 프로세싱부(2)로부터 수신된 산출 평가치</ANY><RELATION_9576>에 의하여 조절되는</RELATION_9576> <COMPONENT>마이콤으로된 콘트롤러(3)</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019920003388 | 1 | 4 | <ANY>상기 마이콤 코트롤러(3)의 제어신호를 받아 밝기가 자동으로 조절되는</ANY> <COMPONENT>칼라액정소자 뷰파인더부(4)</COMPONENT><RELATION_19>로 이루어진</RELATION_19> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>칼라 액정소자 뷰파인더의 백 라이트 자동 밝기 조절회로</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019920006678 | 1 | 1 | <ANY>반도체기판의 제1절연막상에 형성되고 제1전도형의 불순물</ANY><RELATION_13439>이 도우프된</RELATION_13439> <COMPONENT>제1도전층</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019920006678 | 1 | 2 | <ANY>상기 제1도전층</ANY><RELATION_76>을 덮는</RELATION_76> <COMPONENT>제2절연막</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019920006678 | 1 | 3 | <ANY>상기 제1도전층상의 제2절연막</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>콘택홀</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019920006678 | 1 | 4 | <ANY>상기 콘택홀내에 노출된 상기 제1도전층, 콘택홀 내벽 및 상기 제2절연막의 소정부위</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>반도체층</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019920006678 | 1 | 5 | <ANY>상기 반도체층</ANY><RELATION_76>을 덮는</RELATION_76> <COMPONENT>박막의 게이트절연막</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019920006678 | 1 | 6 | <ANY>상기 콘택홀 및 상기 콘택홀의 입구주변부상에 오버랩되도록 상기 게이트절연막상</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제2도전층</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019920006678 | 1 | 7 | <ANY>상기 콘택홀내의 상기 제1도전층과 접촉되는 상기 반도체층내에 상기 제1도전층내의 불순물이 상방향</ANY><RELATION_26028>으로 확산되어 형성된</RELATION_26028> <COMPONENT>제1불순물영역</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019920006678 | 1 | 8 | <ANY>상기 제2절연막상에 반도체층내에 상기 제2전도형의 불순물</ANY><RELATION_13439>이 도우프된</RELATION_13439> <COMPONENT>제2불순물영역</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019920006678 | 1 | 9 | <ANY>및 상기 제1 및 제2불순물영역들 사이에 한정되고 상기 콘택홀 내측벽상의 상기 반도체층으로 제공되는</ANY> <COMPONENT>채널영역</COMPONENT><RELATION_6>을 구비한</RELATION_6> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 메모리장치의 박막트랜지스터</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019920007576 | 45 | 1 | <COMPONENT>제1항 기재의 구성</COMPONENT><RELATION_15>을 가지는</RELATION_15> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>ic 카드</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019920010430 | 1 | 1 | <ANY>다수개의 본드패드(1a)와 수광영역부(1b)</ANY><RELATION_15>를 가지는</RELATION_15> <COMPONENT>반도체칩(1)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019920010430 | 1 | 2 | <ANY>상기 반도체칩(1)이 부착고정되는 패들(2)과 반도체칩(1)에 와이어본딩되는 다수개의 리드(3)</ANY><RELATION_61>가 구비된</RELATION_61> <COMPONENT>리드프레임</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019920010430 | 1 | 3 | <ANY>상기 반도체칩(1)의 수광영역부(16) 주위에 소정두께</ANY><RELATION_4>로 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>필림벽(4)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |