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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019960035859 | 1 | 2 | <ANY>상기 촬상 수단에서 출력된 신호를 디지탈 신호로 변환 처리하여 색차 신호와 휘도 신호</ANY><RELATION_10>를 출력하는</RELATION_10> <COMPONENT>신호 처리 수단</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960035859 | 1 | 3 | <ANY>상기 영상 신호의 압축, 복원동작을 제어하기 위한 해당 명령</ANY><RELATION_10>을 출력하는</RELATION_10> <COMPONENT>중앙 처리 수단</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960035859 | 1 | 4 | <ANY>압축된 영상 데이터</ANY><RELATION_17>를 저장하는</RELATION_17> <COMPONENT>고체 플로피 디스크 수단</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960035859 | 1 | 5 | <ANY>상기 중앙 처리 수단의 명령에 따라 상기 고체 플로피 디스크에 압축된 영상 데이터를 저장하거나 복원하는</ANY> <COMPONENT>동작</COMPONENT><RELATION_18>을 수행하는</RELATION_18> 고체 플로피 디스크 제어 수단<RELATION_SEP>을 포함하여 이루어지는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>고체 플로피 디스크를 사용한 디지탈 스틸 카메라</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960036041 | 10 | 1 | <COMPONENT>투명기판(111)</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960036041 | 10 | 2 | <ANY>상기 투명기판 위</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>게이트전극(117a)</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960036041 | 10 | 3 | <ANY>상기 게이트전극과 상기 투명기판 위</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>게이트절연막(123)</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960036041 | 10 | 4 | <ANY>상기 게이트절연막(123)을 사이에 두고 상기 게이트전극(117a)과 정합성</ANY><RELATION_5>을 갖는</RELATION_5> <COMPONENT>제1반도체층(122a)</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960036041 | 10 | 5 | <ANY>상기 제1반도체층 위에 정합성</ANY><RELATION_506>을 갖도록 형성된</RELATION_506> <COMPONENT>에치스토퍼(120)</COMPONENT>와, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960036041 | 10 | 6 | <ANY>상기 제1반도체층의 양측면과 상기 에치스토퍼의 양측면과 상기 게이트절연막 표면의 일부 위</ANY><RELATION_340>에 접촉되는</RELATION_340> <COMPONENT>제2반도체층(122b)</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960036041 | 10 | 7 | <ANY>상기 제2반도체층 위</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>오믹접촉층(125)</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960036041 | 10 | 8 | <ANY>상기 오믹접촉층 위에 형성된 소스·드레인전극(115a,</ANY> <COMPONENT>115b)</COMPONENT><RELATION_3>을 포함하는</RELATION_3> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>스위칭소자</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960036714 | 1 | 1 | <ANY>제1도전형의 반도체기판과,</ANY> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960036714 | 1 | 2 | <ANY>상기 반도체기판의 소정 부분에 제2도전형의 불순물이 도핑되어 형성되며 소자의 활성영역</ANY><RELATION_281>을 한정하는</RELATION_281> <COMPONENT>웰영역</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960036714 | 1 | 3 | <ANY>상기 웰영역 내에 제1도전형의 불순물이 고농도로 도핑되어 상기 웰영역 내에 형성되는 복수 개의 트랜지스터가 공통</ANY><RELATION_137>을 이루는</RELATION_137> <COMPONENT>제1영역</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960036714 | 1 | 4 | <ANY>상기 제1영역 상의 소정 부분에 상기 웰영역과 중첩되어 전기적으로 연결되게 형성되며 트렌치에 의해 이격되어 상기 트렌치에 의해 형성된 측면이 상기 복수 개의 트랜지스터 각각의 채널</ANY><RELATION_415>로 이용되는</RELATION_415> <COMPONENT>복수 개의 제2도전형 에피택셜층과</COMPONENT>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960036714 | 1 | 5 | <ANY>상기 트렌치 내의 상기 제1영역의 노출된 표면과 에피택셜층의 측면</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>게이트산화막</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960036714 | 1 | 6 | <ANY>상기 게이트산화막 상의 에피택셜층의 측면과 중첩되는 부분</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>복수 개의 게이트</COMPONENT>와, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960036714 | 1 | 7 | <ANY>상기 에피택셜층 상에 제1도전형의 불순물이 고농도로 도핑되며 상기 채널에 의해</ANY> <COMPONENT>상기 제1영역과 전기적</COMPONENT><RELATION_12>으로 연결되는</RELATION_12> 복수 개의 제2영역<RELATION_SEP>을 포함하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960038050 | 1 | 1 | <ANY>반도체 기판에 매트릭스 형상</ANY><RELATION_14434>으로 배치되어 형성된</RELATION_14434> <COMPONENT>복수의 광전변환부분들</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |