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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019960038050 | 1 | 2 | <ANY>상기 광전변환부분들로부터 전송된 신호전하</ANY><RELATION_132>를 전송하기 위한</RELATION_132> <COMPONENT>복수의 수직전하전송단들</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960038050 | 1 | 3 | <ANY>상기 각 광전변환부분들의 수광부위</ANY><RELATION_414446>를 제외한 나머지 영역상에 형성된</RELATION_414446> <COMPONENT>광차폐막</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960038050 | 1 | 4 | <ANY>및</ANY> <COMPONENT>상기 광차폐막 상부에 광흡수막</COMPONENT><RELATION_20>을 형성하는</RELATION_20> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>스미어 억제형 고체촬상소자</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960038050 | 4 | 1 | <ANY>반도체 기판에 매트릭스 형상</ANY><RELATION_14434>으로 배치되어 형성된</RELATION_14434> <COMPONENT>복수의 광전변환부분들</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960038050 | 4 | 2 | <ANY>상기 광전변환부분들의 수직열들 사이의 상기 반도체 기판에 배치되어 형성되고 광전변환부분들로부터 전송된 신호전하</ANY><RELATION_132>를 전송하기 위한</RELATION_132> <COMPONENT>복수의 수직전하전송단들</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960038050 | 4 | 3 | <ANY>및 상기 각 광전변환부분들의 수광부위를 제외한 나머지 영역상에 형성된</ANY> <COMPONENT>광흡수막</COMPONENT><RELATION_6>을 구비한</RELATION_6> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>스미어 억제형 고체촬상소자</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960038751 | 1 | 1 | <ANY>광경화성 고분자, 감광제 및 순수를 포함하는</ANY> <PATENT_ITEM>감광성 수지 조성물</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960038751 | 1 | 2 | <ANY>상기 광경화성 고분자를 기준으로 하여</ANY> <COMPONENT>0.1 내지 20중량%의 아질산 금속염</COMPONENT><RELATION_69>을 더 포함하는</RELATION_69> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>감광성 수지 조성물</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960038753 | 1 | 1 | <ANY>광경화성 고분자, 감광제, 실란커플링제, 계면활성제 및 순수를 포함하는</ANY> <PATENT_ITEM>감광성 수지 조성물</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960038753 | 1 | 2 | <ANY>상기 광경화성 고분자를 기준으로 하여</ANY> <COMPONENT>0.1 내지 20중량%의 아민 화합물</COMPONENT><RELATION_2973>이 더 포함되는</RELATION_2973> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>감광성 수지 조성물</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960039112 | 10 | 1 | <COMPONENT>기판(111)</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960039112 | 10 | 2 | <ANY>상기 기판 위</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>하부 게이트전극(117a)</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960039112 | 10 | 3 | <ANY>상기 하부 게이트전극과 상기 기판 위</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>게이트절연막(123)</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960039112 | 10 | 4 | <ANY>상기 하부 게이트전극 부분의 게이트절연막 위에 섬모양</ANY><RELATION_4>으로 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제1반도체층(122a)</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960039112 | 10 | 5 | <ANY>상기 제1반도체층 위</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>에치스토퍼(120)</COMPONENT>와, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960039112 | 10 | 6 | <ANY>상기 제1반도체층과 접촉되며 상기 에치스토퍼</ANY><RELATION_76>를 덮는</RELATION_76> <COMPONENT>제2반도체층(122b)</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960039112 | 10 | 7 | <ANY>상기 제2반도체층 위에 상기 제2반도체층의 중앙 일부분이 노출되도록 일정길이의 갭</ANY><RELATION_414582>으로 분리되어 형성되어 있는</RELATION_414582> <COMPONENT>오믹접촉층(125)</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960039112 | 10 | 8 | <ANY>상기 분리된 오믹접촉층 위</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>소스전극(115a) 및 드레인전극(115b)</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960039112 | 10 | 9 | <ANY>상기 소스전극 및 상기 드레인전극이 형성된 기판</ANY><RELATION_76>을 덮는</RELATION_76> <COMPONENT>보호막(126)</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019960039112 | 10 | 10 | <ANY>상기 보호막 위에 하부 게이트전극(117a)과 접촉되는</ANY> <COMPONENT>상부 게이트전극(117b)</COMPONENT><RELATION_3>을 포함하는</RELATION_3> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>스위칭소자</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |