원시데이터
특허 지식베이스 원시데이터
청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019980003708 | 1 | 2 | <ANY>및 상기 칩의 본드 패드와 이 패드에 대응하는 리드 프레임의 인너리드를 전기적으로 연결하는 다수의 회로 패턴이 일정 간격으로 배열된</ANY> <COMPONENT>패턴 테이프</COMPONENT><RELATION_36>를 포함하여 구성된</RELATION_36> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 패키지</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980003708 | 6 | 1 | <ANY>적어도 하나의 반도체 칩; 상기 칩을 탑재하여 지지하며 상면 양측에는 다수의 메탈 패드가 형성되고, 하면에는 상기 메탈 패드와 연결된 다수의 도전 패드가 매트릭스 형태</ANY><RELATION_1600>로 배열되어 있는</RELATION_1600> <COMPONENT>서브스트레이트</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980003708 | 6 | 2 | <ANY>상기 칩의 본드 패드와 서브스트레이트의 메탈 패드를 전기적으로 연결시키는 회로 패턴</ANY><RELATION_131>을 갖춘</RELATION_131> <COMPONENT>패턴 테이프</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980003708 | 6 | 3 | <ANY>상기 서브스트레이트의 상부에 위치한 칩</ANY><RELATION_423544>을 에워 싸도록 형성되는</RELATION_423544> <COMPONENT>패키지 몸체</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980003708 | 6 | 4 | <ANY>및 상기 서브스트레이트의 하면에 배열된 도전 패드에 부착되는</ANY> <COMPONENT>다수의 실장용 솔더 볼</COMPONENT><RELATION_36>을 포함하여 구성된</RELATION_36> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>볼 그리드 어레이 타입의 반도체 패키지</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980003835 | 6 | 1 | <COMPONENT>제2 도전형의 반도체기판</COMPONENT>; | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980003835 | 6 | 2 | <ANY>상기 반도체기판</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제1 도전형의 반도체층</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980003835 | 6 | 3 | <ANY>상기 반도체층의 표면 아래</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제2 도전형의 웰</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980003835 | 6 | 4 | <ANY>상기 웰내</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제1 도전형의 소오스영역</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980003835 | 6 | 5 | <ANY>상기 반도체층 상에, 게이트절연막</ANY><RELATION_818>을 개재하여 형성된</RELATION_818> <COMPONENT>게이트전극</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980003835 | 6 | 6 | <ANY>상기 웰내에 형성되며, 상기 소오스영역의 저면(底面)을 감싸는 제1 영역과 상기 게이트전극에 자기정합되도록 형성된 제2 영역으로 이루어진</ANY> <COMPONENT>제2 도전형의 불순물영역</COMPONENT><RELATION_6>을 구비하는</RELATION_6> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>전력 반도체장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980003835 | 1 | 1 | <ANY>제1 도전형의 반도체기판</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제1 도전형의 드레인영역</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980003835 | 1 | 2 | <ANY>상기 드레인영역 내</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제2 도전형의 베이스영역</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980003835 | 1 | 3 | <ANY>상기 베이스영역 내</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제1 도전형의 소오스영역</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980003835 | 1 | 4 | <ANY>상기 반도체기판 상에, 게이트절연막</ANY><RELATION_818>을 개재하여 형성된</RELATION_818> <COMPONENT>게이트전극</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980003835 | 1 | 5 | <ANY>상기 베이스영역 내에 형성되며, 상기 소오스영역의 저면(底面)을 감싸는 제1 영역과 상기 게이트전극에 자기정합되도록 형성된 제2 영역으로 이루어진</ANY> <COMPONENT>제2 도전형의 불순물영역</COMPONENT><RELATION_6>을 구비하는</RELATION_6> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>전력 반도체장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980004602 | 1 | 1 | <ANY>광대역형 이동전화에서의 대역내 상호변조 변형을 검출하고 저감시키는</ANY> <PATENT_ITEM>장치</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980004602 | 1 | 2 | <ANY>저잡음 증폭기와, 제어신호에 응답하여 상기 저잡음 증폭기를 바이패스시키기 위한 스위칭 수단, 및 수신신호를 디지털 신호로 변환하는 변환기를 구비하고, 광대역 스펙트럼내의 상기 수신신호</ANY><RELATION_11>를 수신하는</RELATION_11> <COMPONENT>수신기</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980004602 | 1 | 3 | <ANY>상기 디지털 신호를 수신하고, 그로부터 소정의 샘플링 간격으로 복수의 샘플들을 추출하며, 상기 복수의 각 샘플들에 대하여 각각 크기 범위 이내의 크기를 갖는 복수의 주파수값들을 포함하는 스펙트럼 평가를 수행하고, 상기 크기 범위내에서 크기 범위의 고 단부에서 소정 수의 크기들로 이루어진 제1 크기군과 제2 크기군을 식별하며, 방해 평가치를 결정하기 위하여 상기 제1 크기군에 대한 제1 평균크기를 계산하고, 상기 수신신호에 대한 잡음평가치를 결정하기 위하여 상기 제2 크기군에 대하여 제2 평균크기를 계산하며, 상기 제1 평균크기와 상기 제2 평균크기로부터 방해 통계치를 계산하고, 상기 방해 통계치를 소정의 임계치와 비교하여, 상기 스위칭 수단에 상기 저잡음 증폭기를 바이패스하기 위한 바이패스 명령</ANY><RELATION_22>을 공급하는</RELATION_22> <COMPONENT>디지털 신호 처리기</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980004602 | 1 | 4 | <RELATION_3>를 포함하는</RELATION_3> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |