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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019980032046 | 2 | 9 | <ANY>상기 제2대역통과 필터의 출력단</ANY><RELATION_12>에 연결된</RELATION_12> <COMPONENT>안테나</COMPONENT>와, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980032046 | 2 | 10 | <ANY>상기 스트립라인과 상기 제2다이오드의 에노드의 접점에 제3캐패시터</ANY><RELATION_841>를 통해 연결되는</RELATION_841> <COMPONENT>제3대역통과 필터</COMPONENT>와, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980032046 | 2 | 11 | <ANY>상기 제3대역통과 필터의 출력을 증폭하는</ANY> <COMPONENT>저잡음 증폭기</COMPONENT><RELATION_841>를 통해 연결되는</RELATION_841> 제4대역통과 필터로 이루어짐<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>듀플렉서 회로</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980032046 | 1 | 1 | <ANY>시분할 다중접속 방식을 사용하는 무선 시스템의 듀플렉서 회로</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980032046 | 1 | 2 | <ANY>송신신호</ANY><RELATION_10>를 출력하는</RELATION_10> <COMPONENT>무선 송신부</COMPONENT>와, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980032046 | 1 | 3 | <ANY>수신된 무선신호를 필터</ANY><RELATION_427001>링 및 복조하는</RELATION_427001> <COMPONENT>무선 수신부</COMPONENT>와, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980032046 | 1 | 4 | <ANY>상기 무선 송신부와 상기 무선 송신부의 공통출력단에 상기 시분할 다중접속 방식의 주파수 대력</ANY><RELATION_485>으로 설정된</RELATION_485> <COMPONENT>대역통과 필터</COMPONENT>와, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980032046 | 1 | 5 | <COMPONENT>상기 대역통과 필터</COMPONENT><RELATION_12>에 연결되는</RELATION_12> 안테나로 구성됨<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>듀플렉서 회로</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980032140 | 1 | 1 | <ANY>하부도전부재</ANY><RELATION_134>가 형성되어 있는</RELATION_134> <COMPONENT>반도체 기판</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980032140 | 1 | 2 | <ANY>상기 반도체 기판의 전면에 형성되어 있고, 상기 하부도전부재의 일부를 노출하는 콘택홀</ANY><RELATION_5>을 갖는</RELATION_5> <COMPONENT>층간절연막</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980032140 | 1 | 3 | <ANY>상기 콘택홀의 일부</ANY><RELATION_304692>를 채우고 있고</RELATION_304692> <COMPONENT>도전물질로 이루어져진 콘택플러그</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980032140 | 1 | 4 | <ANY>상기 콘택플러그 위에 형성되어 있는 배선층을 구비하고, 상기 콘택플러그의 표면이 상기 층간절연막의 표면으로부터 리세스되도록 함으로써, 상기 콘택플러그와</ANY> <COMPONENT>상기 배선층의 계면이 상기 콘택홀의 내부</COMPONENT><RELATION_350>에 존재하는</RELATION_350> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 소자</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980033499 | 11 | 1 | <COMPONENT>제1 도전형의 반도체기판</COMPONENT>; | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980033499 | 11 | 2 | <ANY>상기 반도체기판</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제2 도전형의 반도체영역</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980033499 | 11 | 3 | <ANY>상기 반도체영역 내</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제2 도전형의 드레인</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980033499 | 11 | 4 | <ANY>상기 반도체영역과 소정거리 이격된 반도체기판</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제1 도전형의 바디영역(body region)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980033499 | 11 | 5 | <ANY>상기 바디영역 내</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제2 도전형의 소오스</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980033499 | 11 | 6 | <ANY>상기 바디영역의 하부에, 상기 바디영역의 바닥면</ANY><RELATION_4220>과 접촉하도록 형성된</RELATION_4220> <COMPONENT>고농도의 제1 도전형의 제1 불순물영역</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980033499 | 11 | 7 | <ANY>상기 반도체기판 상에, 게이트절연막</ANY><RELATION_818>을 개재하여 형성된</RELATION_818> <COMPONENT>게이트전극</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980033499 | 11 | 8 | <ANY>상기 소오스 및 드레인과 각각 접속된</ANY> <COMPONENT>소오스전극 및 드레인전극</COMPONENT>을 구비하는 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>전력 디모스(dmos) 트랜지스터</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |