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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019980033499 | 1 | 1 | <COMPONENT>제1 도전형의 반도체기판</COMPONENT>; | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980033499 | 1 | 2 | <ANY>상기 반도체기판</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제2 도전형의 반도체영역</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980033499 | 1 | 3 | <ANY>상기 반도체영역 내</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제2 도전형의 드레인</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980033499 | 1 | 4 | <ANY>상기 드레인 하부의 상기 반도체영역 내</ANY><RELATION_43>에 형성되며</RELATION_43>, <COMPONENT>제2 도전형의 고농도의 매몰 불순물층</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980033499 | 1 | 5 | <ANY>상기 반도체영역과 소정거리 이격된 반도체기판</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제1 도전형의 바디영역(body region)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980033499 | 1 | 6 | <ANY>상기 바디영역 내</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제2 도전형의 소오스</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980033499 | 1 | 7 | <ANY>상기 반도체기판 상에, 게이트절연막</ANY><RELATION_818>을 개재하여 형성된</RELATION_818> <COMPONENT>게이트전극</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980033499 | 1 | 8 | <ANY>상기 소오스 및 드레인과 각각 접속된</ANY> <COMPONENT>소오스전극 및 드레인전극</COMPONENT>을 구비하는 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>전력 디모스(dmos) 트랜지스터</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980033624 | 1 | 1 | <ANY>드레인역할을 하는 제1도전형의 반도체 기판</ANY> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980033624 | 1 | 2 | <ANY>상기 반도체 기판위</ANY><RELATION_320>에 형성되어 있고</RELATION_320>, <COMPONENT>상기 반도체 기판보다 저농도인 제1도전형의 에피택셜층</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980033624 | 1 | 3 | <ANY>상기 에피택셜층내의 상기 에피택셜층의 표면아래에 형성되어 있고, 횡방향으로 스트라이프 형태</ANY><RELATION_106>로 형성되어 있는</RELATION_106> <COMPONENT>제2도전형의 바디 영역</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980033624 | 1 | 4 | <ANY>상기 바디 영역내의 상기 바디 영역의 표면아래에 형성되어 있고, 횡방향으로 스트라이프 형태</ANY><RELATION_106>로 형성되어 있는</RELATION_106> <COMPONENT>한 쌍의 제1도전형의 소스 영역</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980033624 | 1 | 5 | <ANY>상기 에피택셜층위의 상기 소스영역들의 일부 및 채널이 형성되는 바디영역의 위</ANY><RELATION_106>에 형성되어 있는</RELATION_106> <COMPONENT>게이트절연막</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980033624 | 1 | 6 | <ANY>상기 게이트절연막위</ANY> <RELATION_622814>에 형성되어 있는</RELATION_622814> <COMPONENT>게이트도전막</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980033624 | 1 | 7 | <ANY>상기 게이트도전막의 윗면과 측면</ANY><RELATION_427728>을 감싸면서 형성되어 있는</RELATION_427728> <COMPONENT>절연막</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980033624 | 1 | 8 | <ANY>상기 절연막이 덮혀 있지 않는 상기 소스영역들 및 바디 영역의 위에 형성되어 있는</ANY> <COMPONENT>소스 콘택</COMPONENT><RELATION_6>을 구비하는</RELATION_6> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>고전력 mosfet</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980033624 | 3 | 1 | <ANY>드레인역할을 하는 제1도전형의 반도체 기판</ANY> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980033624 | 3 | 2 | <ANY>상기 반도체 기판위</ANY><RELATION_320>에 형성되어 있고</RELATION_320>, <COMPONENT>상기 반도체 기판보다 저농도인 제1도전형의 에피택셜층</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980033624 | 3 | 3 | <ANY>상기 에피택셜층내의 상기 에피택셜층의 표면아래에 형성되어 있고, 횡방향으로 스트라이프 형태</ANY><RELATION_106>로 형성되어 있는</RELATION_106> <COMPONENT>제2도전형의 바디 영역</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980033624 | 3 | 4 | <ANY>상기 바디 영역내의 상기 바디 영역의 표면아래에 형성되어 있고, 횡방향으로 스트라이프 형태</ANY><RELATION_106>로 형성되어 있는</RELATION_106> <COMPONENT>한 쌍의 제1도전형의 소스 영역</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |