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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019980038455 | 7 | 8 | <COMPONENT>(h) 상기 동기 지연 회로</COMPONENT>는: | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980038455 | 7 | 9 | <ANY>(h1) 상기 데이터가 입력되고, 적어도 하나의 제 17 단위 지연 회로</ANY><RELATION_3>를 포함하는</RELATION_3> <COMPONENT>제 1 지연선</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980038455 | 7 | 10 | <ANY>(h2) 상기 데이터, 및 상기 제 1 지연선에 포함된 상기 각각의 제 17 단위 지연 회로로부터 출력된 데이터가 입력되는 적어도 하나의 제 18 단위 선택 회로를 포함하는</ANY> <COMPONENT>제 1 선택 회로열</COMPONENT><RELATION_1>을 포함하고</RELATION_1>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980038455 | 7 | 11 | <COMPONENT>(i) 상기 제 1 발진기</COMPONENT>는: | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980038455 | 7 | 12 | <ANY>(i1) 상기 제 1 선택 회로열에 포함된 상기 각각의 제 18 단위 선택 회로로부터 출력된 상기 데이터가 입력되고, 적어도 하나의 제 19 단위 선택 회로</ANY><RELATION_3>를 포함하는</RELATION_3> <COMPONENT>제 11 선택 회로열</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980038455 | 7 | 13 | <ANY>(i2) 상기 제 11 선택 회로열에 포함된 상기 각각의 제 19 단위 선택 회로로부터 출력된 상기 데이터가 입력되고, 적어도 하나의 제 20 단위 지연 회로</ANY><RELATION_3>를 포함하는</RELATION_3> <COMPONENT>제 11 지연선</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980038455 | 7 | 14 | <ANY>(i3) 상기 반전 데이터 및 상기 제 11 지연선으로부터 출력된 데이터가 입력되고, 상기 제 11 선택 회로열에 포함된 상기 각각의 제 19 단위 선택 회로와 상기 펄스 합성 회로에 제 1 클럭을 출력하는 제 1 nand 게이트</ANY><RELATION_1>를 포함하고</RELATION_1>, 그리고 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980038455 | 7 | 15 | <COMPONENT>(j) 상기 제 2 발진기</COMPONENT>는: | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980038455 | 7 | 16 | <ANY>(j1) 상기 제 1 선택 회로열에 포함된 상기 각각의 제 18 단위 선택 회로로부터 출력된 상기 데이터가 입력되고, 적어도 하나의 제 21 단위 선택 회로</ANY><RELATION_3>를 포함하는</RELATION_3> <COMPONENT>제 12 선택 회로열</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980038455 | 7 | 17 | <ANY>(j2) 상기 제 12 선택 회로열에 포함된 상기 각각의 제 21 단위 선택 회로로부터 출력된 상기 데이터가 입력되고, 적어도 하나의 제 22 단위 지연 회로</ANY><RELATION_3>를 포함하는</RELATION_3> <COMPONENT>제 12 지연선</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980038455 | 7 | 18 | <ANY>(j3) 상기 데이터 및 상기 제 12 지연선으로부터 출력된 상기 기준 클럭이 입력되고, 상기 제 12 선택 회로열에 포함된 상기 각각의 제 21 단위 선택 회로와 상기 펄스 합성 회로에 제 2 클럭을 출력하는</ANY> <COMPONENT>제 1 nand 게이트</COMPONENT><RELATION_3>를 포함하는</RELATION_3> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>클럭 복구 회로</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980039248 | 7 | 1 | <ANY>반도체기판 상의 매몰층과 제 1 및 제 2도전형 에피택셜층</ANY> <RELATION_622942>을 분리시키는</RELATION_622942> <COMPONENT>소자분리막</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980039248 | 7 | 2 | <ANY>상기 제 1도전형 에피택셜층내</ANY> <RELATION_622814>에 형성되어 있는</RELATION_622814> <COMPONENT>진성 베이스영역</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980039248 | 7 | 3 | <ANY>상기 소자분리막과 제 1도전형 에피택셜층의 소정 접합부분 및 상기 소자분리막과 제 2도전형 에피택셜층의 소정 접합부분 상</ANY><RELATION_106>에 형성되어 있는</RELATION_106> <COMPONENT>절연막패턴</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980039248 | 7 | 4 | <ANY>상기 절연막패턴 상</ANY><RELATION_106>에 형성되어 있는</RELATION_106> <COMPONENT>제 1 및 제 2도전형 도전막패턴</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980039248 | 7 | 5 | <ANY>상기 절연막패턴과 제 1도전형 도전막패턴 양측, 상기 절연막패턴과 제 2도전형 도전막패턴 양측</ANY><RELATION_3426>에 각각 형성되어 있는</RELATION_3426> <COMPONENT>제 1,2,3,4측벽스페이서</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980039248 | 7 | 6 | <ANY>상기 제 1 및 제 2측벽스페이서 하부의 상기 진성 베이스영역내</ANY><RELATION_3426>에 각각 형성되어 있는</RELATION_3426> <COMPONENT>에미터영역 및 외인성 베이스영역</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980039248 | 7 | 7 | <ANY>상기 제 3 및 제 4측벽스페이서 하부의 상기 제 2도전형 에피택셜층내에 각각 형성되어 있는</ANY> <COMPONENT>에미터영역 및 콜렉터영역</COMPONENT><RELATION_19>으로 이루어진</RELATION_19> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>바이폴라 트랜지스터</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980039780 | 1 | 1 | <ANY>안테나</ANY><RELATION_804>가 수납되는</RELATION_804> <COMPONENT>하우징</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980039780 | 1 | 2 | <ANY>상기 하우징에 결합되며 회전력</ANY><RELATION_31>을 발생하는</RELATION_31> <COMPONENT>구동모터</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |