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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019980053248 | 11 | 2 | <COMPONENT>상기 제 1 반도체층과 제 2반도체층 사이에 위치하고 서로 소정간격 대응하여 형성된 소스전극 및 드레인전극</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053248 | 11 | 3 | <ANY>상기 제 2 반도체층 위에 형성된 보호층</ANY><RELATION_3>을 포함하는</RELATION_3> <COMPONENT>센서부</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053248 | 11 | 4 | <ANY>상기 센서부의 드레인전극과 연결되어 상기 센서부의 광전류</ANY><RELATION_311>를 충전하는</RELATION_311> <COMPONENT>충전부</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053248 | 11 | 5 | <ANY>상기 충전부와 연결되어 있고, 충전부의 전하</ANY><RELATION_79925>를 선택적으로 방출하는</RELATION_79925> <COMPONENT>스윗칭부</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053248 | 11 | 6 | <RELATION_SEP>를 포함하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>이미지소자</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053248 | 9 | 1 | <ANY>게이트전극과, 드레인전극 및 소스전극과, 상기 소스전극과 드레인전극 위에 형성되고, 피사체에 반사되어 입사되는 빛을 받아 광전류를 발생시키는 반도체층과, 보호층</ANY><RELATION_3>을 포함하는</RELATION_3> <COMPONENT>센서부</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053248 | 9 | 2 | <ANY>상기 센서부의 드레인전극과 연결되어 상기 센서부의 광전류</ANY><RELATION_311>를 충전하는</RELATION_311> <COMPONENT>충전부</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053248 | 9 | 3 | <ANY>상기 충전부와 연결되고, 충전부의 전하</ANY><RELATION_429694>를 제어신호에 따라 외부로 방출하는</RELATION_429694> <COMPONENT>스윗칭부</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053248 | 9 | 4 | <RELATION_SEP>를 포함하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>이미지소자</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053248 | 5 | 1 | <ANY>기판 위</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>게이트전극</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053248 | 5 | 2 | <ANY>상기 게이트전극 위</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>절연층</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053248 | 5 | 3 | <ANY>상기 절연층 위에 아일랜드 형태</ANY><RELATION_406616>로 패터닝되어 형성된</RELATION_406616> <COMPONENT>제 1 반도체층</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053248 | 5 | 4 | <ANY>상기 제 1 반도체층 위</ANY><RELATION_429720>에 서로 소정간격 대응되어 형성된</RELATION_429720> <COMPONENT>제 1 옴익콘택층 과</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053248 | 5 | 5 | <ANY>상기 제 1 옴익콘택층 위에 형성되고, 상기 제 1 옴익콘택층에 각각 평면적</ANY><RELATION_429688>으로 겹쳐 형성된</RELATION_429688> <COMPONENT>소스전극 및 드레인전극</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053248 | 5 | 6 | <ANY>상기 소스전극 및 드레인전극 위에 형성되고, 상기 소스전극과 드레인전극에 각각 평면적</ANY><RELATION_429688>으로 겹쳐 형성된</RELATION_429688> <COMPONENT>제 2 옴익콘택층과</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053248 | 5 | 7 | <ANY>상기 서로 소정간격 대응되어 형성된 제 2 옴익콘택층과 상기 제 2 옴익콘택층사이에 노출된 제 1 반도체층 위</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제 2 반도체층</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053248 | 5 | 8 | <ANY>상기 제 2 반도체층 위</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>보호층</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053248 | 5 | 9 | <RELATION_SEP>을 포함하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>센서박막트랜지스터</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053249 | 1 | 1 | <ANY>기판 위</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>블랙매트릭스</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053249 | 1 | 2 | <ANY>상기 블랙매트릭스 위</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>절연층</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |