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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019980053249 | 1 | 3 | <ANY>상기 절연층 위에 아일랜드형태</ANY><RELATION_4>로 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>반도체층</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053249 | 1 | 4 | <ANY>상기 반도체층 위</ANY><RELATION_429720>에 서로 소정간격 대응되어 형성된</RELATION_429720> <COMPONENT>옴익콘택층과</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053249 | 1 | 5 | <ANY>상기 옴익콘택층 위에 형성되고, 상기 옴익콘택층과 각각 평면적</ANY><RELATION_429688>으로 겹쳐 형성되는</RELATION_429688> <COMPONENT>소스전극 및 드레인전극</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053249 | 1 | 6 | <ANY>상기 소스/드레인전극과 상기 소스전극 과 드레인전극 사이에 노출된 반도체층 위</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>보호층</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053249 | 1 | 7 | <ANY>상기 보호층 위에 형성되고, 상기 반도체층의 표면에 캐리어</ANY><RELATION_307>를 유도하는</RELATION_307> <COMPONENT>게이트전극</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053249 | 1 | 8 | <RELATION_SEP>을 포함하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>센서 박막트랜지스터</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053249 | 5 | 1 | <ANY>기판위</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제 1 게이트전극</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053249 | 5 | 2 | <ANY>상기 제 1 게이트전극 위</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>절연층</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053249 | 5 | 3 | <ANY>상기 절연층 위에 아일랜드 형태</ANY><RELATION_406616>로 패터닝되어 형성된</RELATION_406616> <COMPONENT>반도체층</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053249 | 5 | 4 | <ANY>상기 반도체층 위</ANY><RELATION_429720>에 서로 소정간격 대응되어 형성된</RELATION_429720> <COMPONENT>옴익 콘택층</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053249 | 5 | 5 | <ANY>상기 옴익콘택층위에 형성되고, 상기 옴익콘택층과 평면적</ANY><RELATION_429688>으로 겹쳐 형성된</RELATION_429688> <COMPONENT>소스전극 및 드레인전극</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053249 | 5 | 6 | <ANY>상기 소스/드레인전극과 상기 소스전극과 드레인전극 사이에 노출된 반도체층 위</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>보호층</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980053249 | 5 | 7 | <ANY>상기 보호층위에 형성되고,</ANY> <COMPONENT>상기 반도체층의 표면에 캐리어</COMPONENT><RELATION_307>를 유도하는</RELATION_307> 제 2 게이트전극<RELATION_SEP>을 포함하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>센서 박막트랜지스터</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980058262 | 6 | 1 | <COMPONENT>제어단자, 제 1의 데이터입력단자, 제 2의 데이터입력단자, 제 1의 데이터출력단자, 제 2의 데이터출력단자, 제 1의 전원단자, 제 2의 전원단자</COMPONENT>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980058262 | 6 | 2 | <ANY>상기 제어단자에 의해 제어되며, 상기 제 1의 데이터입력단자와 제 1의 노드 사이</ANY><RELATION_29>에 설치된</RELATION_29> <COMPONENT>제 1의 스위칭수단</COMPONENT>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980058262 | 6 | 3 | <ANY>상기 제 2의 데이터입력단자와 제 2의 노드 사이에 설치된</ANY> <COMPONENT>제 2의 스위칭수단</COMPONENT><RELATION_1>을 포함하고</RELATION_1>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980058262 | 6 | 4 | <ANY>소스가 상기 제 1의 전원단자에 접속되고, 드레인이 상기 제 1의 데이터출력단자에 접속되며, 게이트가 상기 제 1의 노드에 접속된 제 1의 제 1전도형 mos트랜지스터와, 소스가 상기 제 2의 전원단자에 접속되며, 드레인이 상기 제 1의 데이터출력단자에 접속되며, 게이트가 상기 제 1의 노드에 접속된 제 1의 제 2전도형 mos트랜지스터</ANY><RELATION_3>를 포함하는</RELATION_3> <COMPONENT>제 1의 인버터</COMPONENT> 및, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980058262 | 6 | 5 | <ANY>소스가 상기 제 1의 전원단자에 접속되고, 드레인이 상기 제 2의 데이터출력단자에 접속되며, 게이트가 상기 제 2의 노드에 접속된 제 2의 제 1전도형 mos트랜지스터와, 소스가 상기 제 2의 전원단자에 접속되며, 드레인이 상기 제 2의 데이터출력단자에 접속되며, 게이트가 상기 제 2의 노드에 접속된 제 2의 제 2전도형 mos트랜지스터를 포함하는 제 2의 인버터를 가지는</ANY> <COMPONENT>래치회로</COMPONENT><RELATION_1>를 포함하며</RELATION_1>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980058262 | 6 | 6 | <COMPONENT>상기 래치회로</COMPONENT>에, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980058262 | 6 | 7 | <ANY>드레인이 상기 제 2의 노드에 접속되고, 게이트가 상기 제 1의 노드에 접속되며, 소스가 접속된 제 3의 노드가 제 1의 제 1전압변환회로를 매개해서 상기 제 1의 전원단자에 접속된 제 3의 제 1전도형 mos트랜지스터와, 드레인이 상기 제 2의 노드에 접속되며, 게이트가 상기 제 1의 노드에 접속되며, 소스가 접속된 제 4의 노드가 제 1의 제 2전압변환회로를 매개해서 상기 제 2의 전원단자에 접속된 제 3의 제 2전도형 mos트랜지스터</ANY><RELATION_3>를 포함하는</RELATION_3> <COMPONENT>제 3의 인버터</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |