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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.

초기화 COMPONENT RELATION_* RELATION_SEP PATENT_ITEM
출원번호청구항순번청구항 텍스트 (XML)청구항 속성
1019980058262 6 8 <ANY>드레인이 상기 제 1의 노드에 접속되고, 게이트가 상기 제 2의 노드에 접속되며, 소스가 접속된 제 5의 노드가 제 2의 제 1전압변환회로를 매개해서 상기 제 1의 전원단자에 접속된 제 4의 제 1전도형 mos트랜지스터와, 드레인이 상기 제 1의 노드에 접속되며, 게이트가 상기 제 2의 노드에 접속되며, 소스가 접속된 제 6의 노드가 제 2의 제 2전압변환회로를 매개해서</ANY> <COMPONENT>상기 제 2의 전원단자</COMPONENT><RELATION_24>에 접속된</RELATION_24> 제 4의 제 2전도형 mos트랜지스터<RELATION_SEP>를 포함하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>제 4의 인버터를 부가해서 구성되는 스태틱래치회로</PATENT_ITEM> 독립항-공개공보 가공데이터
1019980058262 8 1 <COMPONENT>데이터입력단자, 데이터출력단자, 제 1의 전원단자, 제 2의 전원단자, 제 1의 제어단자</COMPONENT>, 독립항-공개공보 가공데이터
1019980058262 8 2 <ANY>상기 제 1의 제어단자에 입력되는 제어신호와는 역상의 신호가 입력되는</ANY> <COMPONENT>제 2의 제어단자</COMPONENT><RELATION_1>를 포함하고</RELATION_1>, 독립항-공개공보 가공데이터
1019980058262 8 3 <ANY>소스가 상기 제 1의 전원단자에 접속되고, 드레인이 상기 제 1의 노드에 접속되며, 게이트가 상기 데이터입력단자에 접속된 제 1의 제 1전도형 mos트랜지스터와, 소스가 상기 제 1의 노드에 접속되며, 드레인이 상기 제 2의 노드에 접속되며, 게이트가 상기 제 1의 제어단자에 접속된 제 2의 제 1전도형 mos트랜지스터와, 소스가 상기 제 2의 전원단자에 접속되고, 드레인이 상기 제 3의 노드에 접속되며, 게이트가 상기 데이터입력단자에 접속된 제 1의 제 2전도형 mos트랜지스터 및, 소스가 상기 제 3의 노드에 접속되며, 드레인이 상기 제 2의 노드에 접속되며, 게이트가 상기 제 2의 제어단자에 접속된 제 2의 제 2전도형 mos트랜지스터</ANY><RELATION_3>를 포함하는</RELATION_3> <COMPONENT>제 1의 인버터</COMPONENT>; 및 독립항-공개공보 가공데이터
1019980058262 8 4 <ANY>소스가 상기 제 1의 전원단자에 접속되고, 드레인이 제 4의 노드에 접속되며, 게이트가 상기 제 2의 노드에 접속된 제 3의 제 1전도형 mos트랜지스터와, 소스가 상기 제 4의 노드에 접속되며, 드레인이 상기 데이터출력단자에 접속되며, 게이트가 상기 제 2의 제어단자에 접속된 제 4의 제 1전도형 mos트랜지스터와, 소스가 상기 제 2의 전원단자에 접속되고, 드레인이 제 5의 노드에 접속되며, 게이트가 상기 제 2의 노드에 접속된 제 3의 제 2전도형 mos트랜지스터 및, 소스가 상기 제 5의 노드에 접속되며, 드레인이 상기 데이터출력단자에 접속되며, 게이트가 상기 제 1의 제어단자에 접속된 제 4의 제 2전도형 mos트랜지스터를 포함하는 제 2의 인버터를 가지는</ANY> <COMPONENT>래치회로</COMPONENT><RELATION_1>를 포함하며</RELATION_1>, 독립항-공개공보 가공데이터
1019980058262 8 5 <COMPONENT>상기 래치회로</COMPONENT>에, 독립항-공개공보 가공데이터
1019980058262 8 6 <ANY>소스가 상기 제 1의 전원단자에 접속되고, 드레인이 제 6의 노드에 접속되며, 게이트가 상기 제 2의 노드에 접속된 제 5의 제 1전도형 mos트랜지스터와, 소스가 상기 제 2의 전원단자에 접속되며, 드레인이 상기 제 6의 노드에 접속되며, 게이트가 상기 제 2의 노드에 접속된 제 5의 제 2전도형 mos트랜지스터</ANY><RELATION_3>를 포함하는</RELATION_3> <COMPONENT>제 3의 인버터</COMPONENT>; 및 독립항-공개공보 가공데이터
1019980058262 8 7 <ANY>소스가 제 1의 전압변환회로를 매개해서 상기 제 1의 전원단자에 접속되며, 드레인이 상기 제 2의 노드에 접속되고, 게이트가 상기 제 6의 노드에 접속된 제 6의 제 1전도형 mos트랜지스터와, 소스가 제 2의 전압변환회로를 매개해서 상기 제 2의 전원단자에 접속되며, 드레인이 상기 제 2의 노드에 접속되며,</ANY> <COMPONENT>게이트가 상기 제 6의 노드</COMPONENT><RELATION_24>에 접속된</RELATION_24> 제 6의 제 2전도형 mos트랜지스터<RELATION_SEP>를 포함하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>제 4의 인버터를 부가해서 구성된 스태틱래치회로</PATENT_ITEM> 독립항-공개공보 가공데이터
1019980059916 1 1 <ANY>탭 테이프가 기 얼라인된 접착제필름</ANY><RELATION_22>을 공급하는</RELATION_22> <COMPONENT>접착제필름 공급롤러</COMPONENT>와 독립항-공개공보 가공데이터
1019980059916 1 2 <ANY>서로 마주본 상태로 배치되며, 상기 탭 테이프가 얼라인된 접착제필름을 개재시킨 상태로 결합되어, 상기 접착제필름을 상기 탭 테이프에 부착시키는</ANY> <COMPONENT>상·하부 헤드</COMPONENT><RELATION_1>를 포함하며</RELATION_1>, 독립항-공개공보 가공데이터
1019980059916 1 3 <COMPONENT>상기 상부헤드는 상부 헤드본체와</COMPONENT>; 독립항-공개공보 가공데이터
1019980059916 1 4 <ANY>상기 상부 헤드본체에서 돌출되며, 상기 접착제필름</ANY><RELATION_440>을 가압하는</RELATION_440> <COMPONENT>프로젝터</COMPONENT>와 독립항-공개공보 가공데이터
1019980059916 1 5 <ANY>상기 프로젝터의 표면을 감싸는</ANY> <COMPONENT>고무 탄성체</COMPONENT><RELATION_1>를 포함하고</RELATION_1>, 독립항-공개공보 가공데이터
1019980059916 1 6 <COMPONENT>상기 하부헤드는 하부 헤드본체와</COMPONENT>; 독립항-공개공보 가공데이터
1019980059916 1 7 <ANY>상기 하부 헤드본체의 표면에 배치되며, 다수개의 에어 공급 홀들</ANY><RELATION_13>이 형성되는</RELATION_13> <COMPONENT>금속 플레이트</COMPONENT>와 독립항-공개공보 가공데이터
1019980059916 1 8 <ANY>상기 하부 헤드본체의 내부에 배치되며, 상기 에어공급홀들의 일부와 연통되고, 에어공급툴과 연결되며, 상기 에어공급툴의 에어공급에 의해 상기 에어공급홀들의 일부로 에어</ANY><RELATION_8771>를 내뿜는</RELATION_8771> <COMPONENT>에어토출관들</COMPONENT>과 독립항-공개공보 가공데이터
1019980059916 1 9 <ANY>상기 하부 헤드본체의 다른 내부에 배치되며, 상기 에어공급홀들의 다른 일부와 연통되고, 다른 에어공급툴과 연결되며, 상기 다른 에어공급툴의 에어공급에 의해 상기 에어공급홀들의 다른 일부의 에어를 상기 하부 헤드본체의 내부로 빨아들이는</ANY> <COMPONENT>에어흡입관들</COMPONENT><RELATION_3>을 포함하는</RELATION_3> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 패키지 제조용 접착제필름 부착장치</PATENT_ITEM> 독립항-공개공보 가공데이터
1019980061863 1 1 <ANY>실리콘 기판과, 상기 실리콘 기판 상에 형성된 매몰산화막 및 상기 매몰산화막 상에 형성된 실리콘층</ANY><RELATION_19>으로 이루어지는</RELATION_19> <COMPONENT>에스·오·아이 웨이퍼</COMPONENT> 독립항-공개공보 가공데이터
1019980061863 1 2 <ANY>상기 실리콘층 상에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극의 하부에 채널 영역이 유기되도록 상기 실리콘층 내에 형성된 소오스/드레인 영역</ANY><RELATION_19>으로 이루어지는</RELATION_19> <COMPONENT>모스팻</COMPONENT> 독립항-공개공보 가공데이터
1019980061863 1 3 <ANY>상기 실리콘 기판의 일측 표면에 상기 매몰산화막</ANY><RELATION_5607>과 콘택되도록 형성된</RELATION_5607> <COMPONENT>전도층</COMPONENT>; 및 독립항-공개공보 가공데이터
9041–9060번째 행