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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019990049354 | 15 | 2 | <ANY>상기 기판 위</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>제1 배선층</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 15 | 3 | <ANY>상기 제1 배선층 위</ANY><RELATION_4>에 형성되는</RELATION_4> <COMPONENT>제2 배선층</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 15 | 4 | <ANY>상기 mis 트랜지스터의 소스, 게이트, 드레인, 상기 제1 배선층, 및 상기 제2 배선층 중 2개</ANY><RELATION_505>를 전기적으로 접속하는</RELATION_505> <COMPONENT>컨택트 홀</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 15 | 5 | <RELATION_1>을 포함하며</RELATION_1>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049354 | 15 | 6 | <ANY>상기 기판면 상에 xy 평면을 가정한 경우, 상기 컨택트 홀에 의해 접속되는 상기 트랜지스터의 소스, 게이트, 드레인, 제1 배선층, 또는 제2 배선층의, 상기 컨택트 홀과의 접촉 부분의 상기 xy 평면에의 사영의 형상이, 오버랩하지 않은</ANY> <COMPONENT>부분</COMPONENT><RELATION_6>을 구비하는</RELATION_6> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 집적 회로 장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049633 | 9 | 1 | <ANY>반도체 디바이스의 바람직하지 못한 오염물을 최소화하면서 상기 반도체 디바이스를 처리하기 위한 장치</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049633 | 9 | 2 | <ANY>① 처리 단계를 상기 반도체 디바이스의 처리에 적용하는데 적합한 복수개의 처리 챔버 ― 상기 처리 챔버들의 각각은 상기 디바이스를 상기 처리 챔버내로 또는 상기 처리 챔버로부터 이송하는 때에 이송 챔버와 일치하도록 하는 압력</ANY><RELATION_196>을 발생시키기 위한</RELATION_196> <COMPONENT>진공 펌프를 가짐 ― 와</COMPONENT>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049633 | 9 | 3 | <ANY>② 특정 압력에서 작동하며 적어도 하나의 디바이스를 적어도 두개의 처리 챔버간</ANY><RELATION_7582>에서 이송시키기 위한</RELATION_7582> <COMPONENT>이송 챔버</COMPONENT>와, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049633 | 9 | 4 | <ANY>③ 상기 이송 챔버와 선택된 처리 챔버간에서 상기 디바이스</ANY><RELATION_2930>를 이송시키기 위한</RELATION_2930> <COMPONENT>이송 메카니즘</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049633 | 9 | 5 | <RELATION_SEP>을 구비하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 디바이스 처리 장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049633 | 1 | 1 | <PATENT_ITEM>반도체 디바이스 클러스터 처리 시스템</PATENT_ITEM>(semiconductor device cluster processing system)<RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049633 | 1 | 2 | <ANY>① 진공 압력 레벨로 계속 유지될 수 있는 내부 용적을 규정하며, 복수개의 포트(port)</ANY><RELATION_5>를 갖는</RELATION_5> <COMPONENT>이송 챔버(transfer chamber)</COMPONENT>와, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049633 | 1 | 3 | <ANY>② 디바이스</ANY><RELATION_432800>를 포트들 간에 이송시키기 위한</RELATION_432800> <COMPONENT>이송 챔버 내의 디바이스 이송 메카니즘(device transfer mechanism)</COMPONENT>과, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049633 | 1 | 4 | <ANY>③ 처리 중에 반도체 디바이스들을 제각기 보유지지할 수 있는 복수개의 처리 튜브(processing chamber) ― 상기 처리 튜브들의 각각은 상기 처리 튜브와 상기 이송 챔버간의 압력을 차단하기 위한 압력 차단문(pressure-isolating door)</ANY><RELATION_128>을 통하여</RELATION_128> <COMPONENT>상기 이송 챔버의 포트들 중의 하나에 각각 연결됨 ― 와</COMPONENT>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049633 | 1 | 5 | <ANY>④ 상기 이송 챔버의 포트들 중의 하나를 주변 분위기로 연결시키며 두개의 압력 차단문 즉 제 1 및 제 2 압력 차단문을 가진 로드/언로드 챔버(load/unload chamber) ― 상기 제 1 압력 차단문은 상기 로드/언로드 챔버와 상기 주변 분위기간에서 상기 디바이스를 이송시키기 위한 것이고 상기 제 2 압력 차단문은 상기 로드/언로드 챔버와 상기 이송 챔버간에서 상기 디바이스를 이송시키기 위한 것이며, 상기 제 1 및 제 2 압력 차단문은 상호 협동하여 상기 로드/언로드 챔버내의 진공 압력이 상기 이송 챔버에 대한 압력 차단문의 개방시 상기 이송 기구내의 압력에 근사하도록 일치될 수 있거나 상기 주변 분위기에 대한 압력 차단문의 개방시 상기 주변 분위기의 압력</ANY><RELATION_432798>에 근사하도록 일치될 수 있게 함</RELATION_432798> ― | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990049633 | 1 | 6 | <RELATION_SEP>를 구비하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 디바이스 클러스터 처리 시스템</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990050578 | 1 | 1 | <COMPONENT>인쇄회로기판과</COMPONENT>; | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990050578 | 1 | 2 | <ANY>상기 인쇄회로기판이 삽입될 수 있는 삽입홈이 형성되어 있고, 상기 삽입홈에 삽입된 상기 인쇄회로기판의 바닥면이 노출될 수 있도록 상기 삽입홈의 바닥면을 관통하여 솔더볼 접속 구멍</ANY><RELATION_13>이 형성된</RELATION_13> <COMPONENT>패키지 몸체</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990050578 | 1 | 3 | <ANY>상기 패키지 몸체의 외측면에서 내측면으로 수직으로 관통하여 형성된 리드로서, 상기 패키지 몸체의 삽입홈의 내측면으로 돌출된 내부 리드와, 상기 내부 리드와 일체로 형성되어 패키지 몸체의 외측면으로 돌출된 외부 리드</ANY><RELATION_27>로 구성된</RELATION_27> <COMPONENT>복수개의 리드</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019990050578 | 1 | 4 | <ANY>상기 인쇄회로기판 상</ANY><RELATION_200>에 실장된</RELATION_200> <COMPONENT>적어도 하나 이상의 반도체 칩과</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |