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특허 지식베이스 최종산출물

workset 2026-10-29-2-final · 표의 분류를 누르면 해당 조건으로 목록이 필터링됩니다. uuid를 클릭하면 상세 내용이 팝업으로 열립니다.

분류(category)별 통계

전체 15,000건
분류건수
전기(H섹션) 13,085
87.2%
화학(C섹션) 1,392
9.3%
기계(F섹션) 523
3.5%
초기화
검색결과 1,392건 분류: 화학(C섹션) ✕
uuid출원번호제목출원연도IPC분류
18060a45-09e5-598a-8fea-e89aab2dce00 1020067001107 절연피복 도전입자 2004 C09J 화학(C섹션)
8be6a8f9-2421-5837-a091-f7217288fb48 1020067002941 탄소 나노튜브를 기재로 한 태양 전지 2004 C01B 화학(C섹션)
7085cc25-ce7e-50fe-96b3-264fa938c3c6 1020067003021 전기 전도성 조성물 및 그의 제조 방법 2004 C08K 7/24 화학(C섹션)
6555e6e5-1e5c-5549-be59-b645400e5220 1020067008035 적층 세라믹 전자부품의 전극층용의 도전체 페이스트 및적층 세라믹 전자부품용의 적층체 유닛의 제조방법 2004 C08L 화학(C섹션)
b6fdfb03-8f11-524a-973a-63cc6468a0a4 1020067018403 LI(1+α)V3O8 형태의 리튬 바나듐 산화물의 제조방법 2005 C01D 화학(C섹션)
94a29e0a-3292-5424-b701-f388af06ce6d 1020067019323 연료 전지용 세퍼레이터 및 그 제조 방법 2005 C23C 화학(C섹션)
5bf09835-5cc3-5d09-9230-56c1ad82d2be 1020067026058 고체 고분자형 연료 전지용 전해질막, 그 제조 방법 및고체 고분자형 연료 전지용 막전극 접합체 2005 C08J 화학(C섹션)
8f5576a5-e0c7-571a-93ec-41283d4e4cac 1020070000835 반도체 제조설비 2007 C23C 화학(C섹션)
2bf4a4ca-ab8c-56a2-8665-3cf6a7dc5b42 1020070007388 형광체 제조 방법 및 그 형광체를 이용한 발광 다이오드 2007 C09K 화학(C섹션)
337d7784-f3ae-54cb-b147-6f286b9c0911 1020070012800 광학적 스캐너를 보정하기 위한 장치, 그를 제조하는 방법및 그를 이용하여 광학적 스캐너를 보정하는 방법 2007 C03C 화학(C섹션)
d2eb5282-a46c-5394-9019-6fc6a5e9ec48 1020070013333 커넥터 절연재용 고분자 조성물 2007 C08K 3/34 화학(C섹션)
f699c1a6-2c36-547f-a481-d268e7a4c14c 1020070037802 박막증착장치 2007 C23C 화학(C섹션)
41922a79-f2a1-54f3-bed2-6a07f0836d83 1020070040749 고분자막을 이용한 수소 발생 장치 및 이를 이용한연료전지 시스템 2007 C25B 화학(C섹션)
65abb112-9619-5bf2-9277-792f1f4c65fd 1020070045413 카본나노튜브 및 카바이드 유도 탄소를 포함하는 혼성복합체, 상기 혼성복합체를 포함하는 전자 방출원 및 그제조방법, 및 상기 전자 방출원을 채용한 전자 방출 소자 2007 C01B 31/02 화학(C섹션)
733fba27-d322-5467-b58f-e6b1d42002c6 1020070046090 리튬 전지용 올리빈형 양극 활물질, 이의 제조 방법, 및이를 포함하는 리튬 전지 2007 C01B 화학(C섹션)
4f3a5de1-bad4-5b39-b6f3-7b30fa8a30c9 1020070047116 귀금속층을 포함하여 이루어진 탄소나노튜브 전계 방출원및 그의 제조방법 2007 C01B 31/02 화학(C섹션)
8580ca8b-dca2-5d4f-b4f7-5a5ccfdb2c8e 1020070047756 플라즈마 차단 절연판이 장착된 플라즈마 CVD 장치 2007 C23C 화학(C섹션)
391b9dbf-66fb-5840-8750-3cf9aae9595e 1020070049936 반도체 소자의 제조 장치 2007 C23C 화학(C섹션)
49ed03a4-e525-54c4-8ffe-16522b21227c 1020070053839 게이트 유전 층 또는 패시베이션 층으로서 사용하기 위한 폴리(아릴렌 에테르) 중합체와 이를 사용한 게이트 유전 층, 패시베이션 층, 박막 트랜지스터, 및 다층 전자 장치 2007 C08G 화학(C섹션)
c95a3429-2e68-577f-89b7-f17e2fca379c 1020070066873 박막증착장치 2007 C23C 화학(C섹션)
741–760번째 행