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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019970003265 | 30 | 4 | <ANY>및 c) 챔버 장치 내에 상기 수집 부재를 배치하는</ANY> <COMPONENT>위치설정 부재</COMPONENT><RELATION_3>를 포함하는</RELATION_3> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970003265 | 1 | 1 | <ANY>반도체 기판 가공</ANY> <PATENT_ITEM>장치</PATENT_ITEM>의 표면으로부터 오염 입자를 정전기적으로 모으는 장치<RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970003265 | 1 | 2 | <ANY>a) 전원에 전기적</ANY><RELATION_12>으로 연결된</RELATION_12> <COMPONENT>전극판</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970003265 | 1 | 3 | <ANY>b) 상기 전극판의 표면 위</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>비전도성충</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970003265 | 1 | 4 | <ANY>및 c) 상기 표면 및 전극판 사이가 일정한 간격을 가지도록 하는 위치설정 부재를 포함하며, 상기 전원은 상기 표면으로부터 오염 입자를 모으기에 충분한</ANY> <COMPONENT>전압을 상기 전극과 기판 사이</COMPONENT><RELATION_119>에 제공하는</RELATION_119> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970003265 | 7 | 1 | <ANY>오염 입자를 정전기적으로 모으는</ANY> <PATENT_ITEM>장치</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970003265 | 7 | 2 | <ANY>a) 내부에 이온화 가스를가지며, 상부에 기판을 배치하기 위한 기판 수용 표면</ANY><RELATION_15>을 가진</RELATION_15> <COMPONENT>챔버</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970003265 | 7 | 3 | <ANY>b) 상기 챔버 내에 배치되어 상기 챔버와 전기적으로 절연되고, 기판으로부터 오염 입자를 모으기에 충분한 전압</ANY><RELATION_417366>을 인가하는 전원과 전기적으로 연결되는</RELATION_417366> <COMPONENT>전극판</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970003265 | 7 | 4 | <ANY>및 c) 상기 전극판표면 위에 형성된 비전도성층을 포함하며, 상기 비전도성층은 상부에 모아진 하전된 입자로부터 전극판으로전자가 이동하는 것을 방지할 만큼 충분한</ANY> <COMPONENT>두께</COMPONENT><RELATION_15>를 가지는</RELATION_15> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970004132 | 1 | 1 | <COMPONENT>(a) 반도체기판</COMPONENT>; | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970004132 | 1 | 2 | <ANY>(b) 상기 반도체기판에 소정의 간격</ANY><RELATION_415348>으로 이격되어 위치해 있는</RELATION_415348> <COMPONENT>필드산화막</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970004132 | 1 | 3 | <ANY>(c) 상기 필드산화막 사이의 기판 상에 형성되어 있으며 상기 필드산화막과는 소정 간격</ANY><RELATION_415348>으로 이격되어 위치해 있는</RELATION_415348> <COMPONENT>게이트 적층물</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970004132 | 1 | 4 | <ANY>(d) 상기 게이트 적층물의 측면 전체</ANY><RELATION_192>를 감싸는</RELATION_192> <COMPONENT>게이트 스페이서</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970004132 | 1 | 5 | <ANY>(e) 상기 게이트 스페이서와 게이트 적층물이 형성된 기판의 전면에 형성되어 있으되, 상기 필드산화막과 게이트 적층물 사이의 기판의 일부영역</ANY><RELATION_3816>을 노출시키는 콘택홀을 구비하는</RELATION_3816> <COMPONENT>복수개의 절연막</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970004132 | 1 | 6 | <ANY>(f) 상기 콘택홀을 통해서 상기 반도체 기판과 접촉되어 있고 그 양단은 상기 필드산화막의 일부영역과 상기 게이트 적층물의 일부영역 상에 까지 확장되어 있는</ANY> <COMPONENT>제2 도전층 패턴들</COMPONENT><RELATION_61>이 구비된</RELATION_61> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>스트링어 방지수단을 구비하는 반도체장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970004345 | 1 | 1 | <ANY>플라즈마를</ANY> <RELATION_622740>를 발생하는</RELATION_622740> <COMPONENT>제1부재</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970004345 | 1 | 2 | <ANY>상기 제1부재를 둘러싸는 제2부재를 포함하는데, 상기 제1부재와 상기 제2부재 사이에 상기 제1부재내의 상기 플라즈마에 의해 발생되는 열적 에너지가 방출될 수 있는 제1갭이 한정되고, 또한</ANY> <COMPONENT>상기 열적 에너지는 상기 제2부재</COMPONENT><RELATION_415527>를 통해 방출하며</RELATION_415527> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970004345 | 1 | 3 | <ANY>상기 제2부재를 둘러싸는 제3부재를 포함하는데, 상기 제2부재와 상기 제3부재 사이에 상기 제1갭을 가로질러 상기 제1부재로부터 방사된 상기 열적 에너지를 흡수하는 냉각제 유체가 순환하는</ANY> <COMPONENT>제2갭</COMPONENT><RELATION_3440>이 한정되는</RELATION_3440> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>플라즈마 어플리케이터</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970004586 | 6 | 1 | <ANY>피사체상</ANY><RELATION_512>을 도입하는</RELATION_512> <COMPONENT>렌즈</COMPONENT>와, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970004586 | 6 | 2 | <ANY>상기 렌즈를 개재한 피사체상</ANY><RELATION_7085>을 광전변환하는</RELATION_7085> <COMPONENT>고체촬상소자와</COMPONENT>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |