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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019970001669 | 6 | 3 | <ANY>c) 상기 제1의 불순물 영역과 접촉을 유지하고 상기 제1의 절연층 상에 제2의 물질로 형성된 기억 전극(23k;43h)의 제1의 부분(23c;43a)</ANY><RELATION_21>을 제공하는</RELATION_21> <COMPONENT>단계</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970001669 | 6 | 4 | <ANY>d) 상기 제1의 부분의 수직 측면과 접촉을 유지하는 수직 부분을 갖고 제3의 물질로 형성된 제1의 전도 층(23e;43b)</ANY><RELATION_416760>으로 상기 제1의 절연층의 노출된</RELATION_416760> <COMPONENT>영역과 상기 제1의 부분을 커버하느 단계</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970001669 | 6 | 5 | <ANY>e) 제4의 물질의 스페이싱 층(23f;43c)으로 상기 제1의 전도 층</ANY><RELATION_382>을 커버하는</RELATION_382> <COMPONENT>단계</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970001669 | 6 | 6 | <ANY>f) 상기 제3의 물질과 상기 제4의 물질 사이에 선택성을 갖는 제1의 부식액을 사용함에 의해 상기 제1의 전도층의 상기 수직 부분과 접촉을 유지하는 원통형 측벽- 스페이서(23g;43d)로 상기 스페이싱 층</ANY><RELATION_7438>을 패턴화하는</RELATION_7438> <COMPONENT>단계</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970001669 | 6 | 7 | <ANY>g) 제5의 물질의 제2의 전도 층(23h;43e)으로 상기 제1의 전도층의 노출된 표면과 상기 원통형 측벽 스페이서</ANY><RELATION_382>를 커버하는</RELATION_382> <COMPONENT>단계</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970001669 | 6 | 8 | <ANY>h) 적어도 상기 제1의 물질, 상기 제3의 물질, 상기 제4의 물질과 상기 제5의 물질 상이에 선택성을 갖는 제2의 부식액을 사용함에 의해 상기 원통형 측벽 스페이서와 접촉을 유지하는 상기 기억 전극의 제2의 부분(23j;43f)으로 상기 제2의 전도 층</ANY><RELATION_7438>을 패턴화하는</RELATION_7438> <COMPONENT>단계</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970001669 | 6 | 9 | <ANY>i) 유전체 막 구조 (23m;43i)로 상기 기억 전극의 상기 제1 및 제2의 부분</ANY><RELATION_382>을 커버하는</RELATION_382> <COMPONENT>단계</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970001669 | 6 | 10 | <ANY>j) 플레이트 전극(23h;23n)으로 상기 유전체 막 구조</ANY><RELATION_382>를 커버하는</RELATION_382> <COMPONENT>단계</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970001669 | 6 | 11 | <ANY>k) 적어도 결정 결함을 감소시키도록</ANY> <COMPONENT>수소로 단계 k)의 결과로서의 구조</COMPONENT><RELATION_68>를 처리하는</RELATION_68> 단계<RELATION_SEP>를 포함하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 메모리 셀 제조 공정</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970002014 | 1 | 1 | <ANY>복수의 반도체 기판 상에 불순물 도핑된</ANY> <PATENT_ITEM>폴리실리콘막</PATENT_ITEM>들을 성장하기 위한 폴리실리콘막 성장 장치<RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970002014 | 1 | 2 | <ANY>상기 반도체 기판들 상에 폴리실리콘막들</ANY><RELATION_416890>을 성장하기 위한</RELATION_416890> <COMPONENT>반응 노(reaction furnace)</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970002014 | 1 | 3 | <ANY>상기 반응 노 내에서 상기 반도체 기판들 중의 인접한 기판들 간에 소정의 일정한 간격으로 적층된 상기 반도체 기판들</ANY><RELATION_344>을 지지하기 위한</RELATION_344> <COMPONENT>보트(boat)</COMPONENT>와 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970002014 | 1 | 4 | <ANY>상기 반도체 기판들 상에 상기 폴리실리콘막들을 성장하기 위한 재료 가스를 상기 반응 노</ANY><RELATION_8954>에 도입하기 위한</RELATION_8954> <COMPONENT>재료 가스 도입구(material gas introducting port)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970002014 | 1 | 5 | <ANY>및 상기 폴리실리콘막들을 성장시키는 동안, 상기 반도체 기판들 상에 상기 폴리실리콘막들을 도핑하기 위한 불순물 가스를 상기 반응 노에 도입하기 위한 것으로, 상기 반도체 기판들의 적층 방향에 따라 배치되는</ANY> <COMPONENT>한 쌍의 불순물 가스 도입구</COMPONENT><RELATION_3>를 포함하는</RELATION_3> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>폴리실리콘막 성장 장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970002014 | 7 | 1 | <ANY>반응 노 내에서 상기 반도체 기판들 중의 인접한 기판들 간에 소정의 일정한 간격으로 적층된 복수의 반도체 기판을 지지하고 상기 반도체 기판들 상에</ANY> <PATENT_ITEM>폴리실리콘막</PATENT_ITEM>들을 성장하기 위한 폴리실리콘막 성장 장치<RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970002014 | 7 | 2 | <ANY>상기 폴리실리콘막들을 성장하기 위한 재료 가스를 상기 반응 노에 도입하기 위한</ANY> <COMPONENT>재료 가스 도입</COMPONENT>구 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970002014 | 7 | 3 | <ANY>및 상기 반도체 기판의 적층 방향에 따라 배치되고, 상기 폴리실리콘막들을 성장하는 동안 상기 폴리실리콘막들을 도핑하기 위한 불순물 가스를 상기 반응 노에 도입하기 위한</ANY> <COMPONENT>복수의 불순물 가스 도입구</COMPONENT><RELATION_3>를 포함하는</RELATION_3> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>폴리실리콘막 성장 장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970003265 | 30 | 1 | <ANY>반도체 가공</ANY> <PATENT_ITEM>장치</PATENT_ITEM>의 내부 영역으로부터 입자를 제거하는 장치<RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970003265 | 30 | 2 | <COMPONENT>a) 수집 부재</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019970003265 | 30 | 3 | <ANY>b) 상기 수집 부재</ANY><RELATION_12>에 연결된</RELATION_12> <COMPONENT>바이어스 부재</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |