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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019980000272 | 1 | 3 | <ANY>상기 베이스영역 내</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제1 도전형의 에미터영역</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980000272 | 1 | 4 | <ANY>상기 베이스영역</ANY><RELATION_13367>과 소정 거리 이격된</RELATION_13367> <COMPONENT>채널스톱 영역</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980000272 | 1 | 5 | <ANY>상기 베이스영역 및 채널스톱영역 사이의 반도체기판 상</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제1 절연막</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980000272 | 1 | 6 | <ANY>결과물의 전면에, 상기 베이스영역, 에미터영역 및 채널스톱영역</ANY><RELATION_2033>을 노출시키도록 형성된</RELATION_2033> <COMPONENT>제2 절연막</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980000272 | 1 | 7 | <ANY>상기 베이스영역, 에미터영역 및 채널스톱 영역과 각각 접속된</ANY> <COMPONENT>베이스전극, 에미터전극 및 등전위전극</COMPONENT><RELATION_6>을 구비하는</RELATION_6> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>전력 반도체장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980000649 | 1 | 1 | <ANY>혼용채널을 통해 무선호출시스템과 통신하는 특정 방식의 무선호출수신기</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980000649 | 1 | 2 | <ANY>소정의 제어를 받아 무선수신부의 전원 공급</ANY><RELATION_273157>을 온 혹은 오프하는</RELATION_273157> <COMPONENT>전원절약제어부</COMPONENT>와, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980000649 | 1 | 3 | <ANY>상기 무선호출시스템으로부터 전송되는 신호로부터 프리앰블과 헤더배치 및 데이터배치</ANY><RELATION_10500>를 순차적으로 검출하는</RELATION_10500> <COMPONENT>패턴검출부</COMPONENT>와, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980000649 | 1 | 4 | <ANY>상기 헤더배치에 포함된 타임슬롯 번호로써 상기 데이터배치가 미리 설정한 특정 방식의 데이터인지 여부를 판단하여 해당 방식의 데이터가 아니면 상기 전원절약제어부로 하여금 상기</ANY> <COMPONENT>무선수신부의 전원</COMPONENT><RELATION_424144>을 오프하도록 제어하는</RELATION_424144> 제어부로 구성함<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>무선호출수신기의 전원 절약 장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980001006 | 1 | 1 | <COMPONENT>제 1 도전형의 반도체 기판</COMPONENT>; | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980001006 | 1 | 2 | <ANY>상기 기판의 소정 영역에 고농도</ANY><RELATION_4>로 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제 2 도전형의 매립층(buried layer)</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980001006 | 1 | 3 | <ANY>상기 매립층이 형성된 기판 상에 저농도</ANY><RELATION_4>로 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제 2 도전형의 애피택셜층</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980001006 | 1 | 4 | <ANY>상기 매립층 상의 애피택셜층에 고농도</ANY><RELATION_4>로 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제 1 도전형의 제 1 바닥(bottom) 영역</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980001006 | 1 | 5 | <ANY>상기 제 1 바닥 영역의 가장 자리에서 상기 애피택셜층의 표면까지 고농도</ANY><RELATION_4>로 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제 1 도전형의 제 1 소자 분리 영역</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980001006 | 1 | 6 | <ANY>상기 소자분리 영역 사이에서 서로 소정 간격 이격되고 고농도</ANY><RELATION_4>로 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제 2 도전형의 제 2 웰들</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980001006 | 1 | 7 | <ANY>상기 제 2 웰들 사이에서 상기 제 2 웰들과 소정 간격 이격되고 고농도</ANY><RELATION_4>로 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>제 1 도전형의 제 1 웰</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980001006 | 1 | 8 | <ANY>상기 에피택셜층에서 상기 제 1 소자 분리 영역과 소정 간격 이격되어 상기 제 1 소자 분리 영역을 둘러싸며 제 1 도전형으로 형성되고 상기 반도체 기판과 전기적</ANY><RELATION_12>으로 연결되는</RELATION_12> <COMPONENT>제 2 소자 분리 영역/제 2 바닥 영역</COMPONENT>; 및 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980001006 | 1 | 9 | <ANY>상기 제 1 소자 분리 영역과 상기 제 2 소자분리 영역 사이의 애피택셜층에서 고농도의 제 2 도전형으로 형성되고 상기 제 2 웰들의 전압 중 높은 전압보다 소정 전압이 작은</ANY> <COMPONENT>전압</COMPONENT><RELATION_216>이 인가되는</RELATION_216> 제 3 웰<RELATION_SEP>을 포함하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>저항값이 일정한 에피 핀치 저항</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980001220 | 17 | 1 | <PATENT_ITEM>아날로그 텔레비젼 신호의 수직 회귀 시간(vbi) 파형으로 통상 nrz 데이터로 운반된 타입의 사용자 정보를 디지털 텔레비젼 데이터 스트림으로부터 디코딩 하기 위한 수신장치</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019980001220 | 17 | 2 | <ANY>상기 디지털 텔레비젼 데이터 스트림은 사용자 데이터 신택스를 포함하는</ANY> <COMPONENT>데이터</COMPONENT><RELATION_152>를 전송하고</RELATION_152>, | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |