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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.

초기화 COMPONENT RELATION_* RELATION_SEP PATENT_ITEM
출원번호청구항순번청구항 텍스트 (XML)청구항 속성
1020000062827 1 11 <ANY>상기 챔버 내의 상부 전극과 하부전극 각각에 서로 다른 고주파</ANY><RELATION_22>를 공급하는</RELATION_22> <COMPONENT>무선 주파수 발생기와</COMPONENT> 독립항-공개공보 가공데이터
1020000062827 1 12 <ANY>상기 챔버 내에 잔유물을 배기하는 배기 배관에는 배기 순간 속도</ANY><RELATION_15443>를 향상하는</RELATION_15443> <COMPONENT>배기 완충부와</COMPONENT> 독립항-공개공보 가공데이터
1020000062827 1 13 <ANY>상기 배기 완충부에는 낮은 공정 압력을 유지하는 흡입구가 구비되는</ANY> <COMPONENT>펌프</COMPONENT><RELATION_11400>를 구성하여서 된</RELATION_11400> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>고밀도 플라즈마 산화막 식각 장치</PATENT_ITEM> 독립항-공개공보 가공데이터
1020000064523 1 1 <ANY>영상표시기</ANY><RELATION_4>에 형성된</RELATION_4> <COMPONENT>복수개의 삽입공과</COMPONENT>, 독립항-공개공보 가공데이터
1020000064523 1 2 <ANY>스피커의 영상표시기 대향면에 회동가능하게 설치되어 상기 삽입공 내</ANY><RELATION_3636>로 삽입되어 결합되는</RELATION_3636> <COMPONENT>결합부재</COMPONENT>와, 독립항-공개공보 가공데이터
1020000064523 1 3 <ANY>상기 스피커에 형성되어 상기 결합부재가 선택적으로 스피커내부</ANY><RELATION_3074>에 수납되도록</RELATION_3074> <COMPONENT>한 수납부</COMPONENT>와, 독립항-공개공보 가공데이터
1020000064523 1 4 <ANY>상기 스피커에 구비되어 스피커를 영상표시기와 분리하여 사용시 상기 스피커를 세워 지지할 수 있도록 하는</ANY> <COMPONENT>스탠드</COMPONENT><RELATION_3136>를 포함하여서 된</RELATION_3136> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>영상표시기의 스피커 결합장치</PATENT_ITEM> 독립항-공개공보 가공데이터
1020000065424 21 1 <ANY>하부레벨층간절연구조내에서 연장되는 제1하부레벨접촉플러그 및 상기 하부레벨층간절연구조 위로 연장되는 상부레벨층간절연구조내에서 연장되는 제1상부레벨접촉플러그로 된 적어도 하나의 제1하부레벨접촉플러그 및 제1상부레벨접촉플러그 세트로서, 제1하부레벨접촉플러그는 어떠한 배선패드의 개재없이 상기 제1상부레벨접촉플러그의 하단</ANY><RELATION_440944>과 직접 접촉하여 정렬되는</RELATION_440944> <COMPONENT>적어도 하나의 제1하부레벨접촉플러그 및 제1상부레벨접촉플러그 세트</COMPONENT> 독립항-공개공보 가공데이터
1020000065424 21 2 <ANY>상기 하부레벨층간절연구조 및 상기 상부레벨층간절연구조간</ANY><RELATION_88>에 연장되는</RELATION_88> <COMPONENT>저지절연막</COMPONENT> 독립항-공개공보 가공데이터
1020000065424 21 3 <ANY>상기 하부레벨층간절연구조내</ANY><RELATION_88>에서 연장되는</RELATION_88> <COMPONENT>제2하부레벨접촉플러그</COMPONENT> 독립항-공개공보 가공데이터
1020000065424 21 4 <ANY>및 상기 하부레벨층간절연구조의 상부영역에 형성된 하부레벨배선홈내에 연장되고, 그 상단이 상기 하부레벨층간절연구조의 상면과 동일한 레벨이 되고 또한 상기 제1하부레벨접촉플러그의 상기 상단과 동일한 레벨이 되는 제1하부레벨배선</ANY><RELATION_69>을 더 포함하는</RELATION_69> <COMPONENT>적어도 하나의 하부레벨의 단일전도성일체화구조</COMPONENT> 독립항-공개공보 가공데이터
1020000065424 21 5 <ANY>상기 제1상부레벨접촉플러그의 상단</ANY><RELATION_1523>과 직접 연결된</RELATION_1523> <COMPONENT>제1상위레벨배선</COMPONENT> 독립항-공개공보 가공데이터
1020000065424 21 6 <ANY>상기 상위레벨층간절연구조내에서 연장되고, 그 하단이 상기 제1하부레벨배선의 상면의 일부</ANY><RELATION_1523>와 직접 연결되는</RELATION_1523> <COMPONENT>제2상위레벨접촉플러그</COMPONENT>; 및 독립항-공개공보 가공데이터
1020000065424 21 7 <COMPONENT>상기 제2상위레벨접촉플러그의 일부</COMPONENT><RELATION_1523>와 직접 연결된</RELATION_1523> 제2상위레벨배선<RELATION_SEP>을 포함하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>다레벨배선구조</PATENT_ITEM> 독립항-공개공보 가공데이터
1020000066038 2 1 <ANY>반도체 웨이퍼상에 형성된 반도체 칩의 전기적시험을 행하는</ANY> <PATENT_ITEM>테스트시스템</PATENT_ITEM><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, 독립항-공개공보 가공데이터
1020000066038 2 2 <ANY>상기 반도체 웨이퍼의 임의의 위치에 형성된 상기 반도체칩</ANY><RELATION_1791>을 테스트하는</RELATION_1791> <COMPONENT>테스트회로</COMPONENT>와, 독립항-공개공보 가공데이터
1020000066038 2 3 <ANY>상 기반도체 칩과 상기 테스트회로</ANY><RELATION_441112>를 접속하는 테스트용배선이 형성되어 있는</RELATION_441112> <COMPONENT>프로빙 모듈</COMPONENT>과, 독립항-공개공보 가공데이터
1020000066038 2 4 <ANY>상기 프로빙모듈을 통하여 상기 반도체 칩 및</ANY> <COMPONENT>상기 테스트회로에 전원</COMPONENT><RELATION_22>을 공급하는</RELATION_22> 전원공급장치<RELATION_SEP>를 포함하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>테스트시스템</PATENT_ITEM> 독립항-공개공보 가공데이터
1020000066038 1 1 <ANY>반도체 웨이퍼에 형성된 반도체칩의 전기적시험을 행하는 테스트시스템</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE>, 독립항-공개공보 가공데이터
1020000066038 1 2 <ANY>상기 반도체칩에 있어서 전극패드의 배치에 맞춰서 도전성 니들</ANY><RELATION_441114>을 배설하고, 테스트회로와 접속하는</RELATION_441114> <COMPONENT>프로브카드</COMPONENT>와, 독립항-공개공보 가공데이터
11661–11680번째 행