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청구항 목록 (server1). 청구항 텍스트의 태그를 그대로 표시합니다. "가공데이터"를 누르면 해당 출원의 CoT 가공 결과가 팝업으로 열립니다.
| 출원번호 | 청구항 | 순번 | 청구항 텍스트 (XML) | 청구항 속성 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 1019870004344 | 6 | 4 | <RELATION_SEP>으로 구성되는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>분리장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870004424 | 1 | 1 | <ANY>커버의 하측으로부터 아래쪽으로 뻗은 일체로 된 슬리브, 상기 슬리브는 단자 포우스트주위에 환상공간을 형성하는 위쪽의 개구 내부부분 및 일반적으로 방사상 안쪽으로 향하여 뻗어있고 단자 포우스트에 인접한 하부부분</ANY><RELATION_8>을 구비하여</RELATION_8> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870004424 | 1 | 2 | <ANY>단자 포우스트의 직경과 대략 동일한 직경으로 된 원통형 내부표면 및 축단면으로 베이스끝과 좁은 립(lip)끝을 형성하는 제1원추대형 외부표면을 구비한 압축가능한 탄성 부싱, 상기 부싱은 환상공간내에 있는</ANY> <COMPONENT>단자 표우스트 주위</COMPONENT><RELATION_399687>에 삽입되도록 채택되며</RELATION_399687> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870004424 | 1 | 3 | <ANY>단자 주위의 환상공간내의 부싱위에 아래쪽으로 삽입되도록 채택된 아래쪽으로 의존하는 플랜지 부분</ANY><RELATION_6>을 구비한</RELATION_6> <COMPONENT>환상 리테이너</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870004424 | 1 | 4 | <ANY>리테이너의 하향 삽입으로 부싱이 방사상으로 압축되게 하고, 단자 포우스트를 따라서 립끝 방향으로 축인발이 야기되도록 부싱의 립끝만</ANY><RELATION_399685>을 제외하고 캡슐에 내장되도록 제공되는</RELATION_399685> <COMPONENT>리테이너의 플랜지부, 슬리브의 하부부분 및 단자 포우스트</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870004424 | 1 | 5 | <ANY>및 리테이너와 슬리브상에 압축되고 인발된</ANY> <COMPONENT>상태로 부싱</COMPONENT><RELATION_617031>을 고정하기 위한 수단으로 구성되는</RELATION_617031> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>용기내부로부터 뻗어나온 원통형단자 포우스트와 배터리 용기커버사이의 인터베이스를 밀봉하기 위한 배터리단자 밀봉조립체</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870004578 | 1 | 1 | <ANY>(a) 가시복사선 또는 자외복사선을 쪼이면, 감광성 수지의 층의 조사된 부분이 조사된 부분의 투과성을 실질적으로 억제하는 교차결합을 하게되어, 감광성 교차결합제와 혼합되거나 또는 결합되고, 작용기를 가지는 중합체로 이루어지는, 감광성수지의 층으로 기판</ANY><RELATION_504>을 피복하는</RELATION_504> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870004578 | 1 | 2 | <ANY>(b) 층의 선택된 부분만 노출시키고, 이 부분의 투과성을 실질적으로 억제시키기 위해서 감광성수지층을 마스크를 통해서 자외복사선 또는 가시광선</ANY><RELATION_5380>에 노출시키는</RELATION_5380> <COMPONENT>단계</COMPONENT> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870004578 | 1 | 3 | <ANY>(c) 감광성수지층을 실리콘화합물로 처리하여, 이 실리콘화합물이 층의 비-조사된 부분에 선택적으로 흡수되고, 이 실리콘화합물이 비-조사된 부분의 감광성수지와 반응하게 되는 단계 및 (d) 양성패턴을 만들기 위해서 이렇게 처리된 감광성수지층을 플라즈마에칭에 의해서 건식현상하여, 이 수지층의 조사된</ANY> <COMPONENT>부분</COMPONENT><RELATION_6044>을 선택적으로 제거하는</RELATION_6044> 단계<RELATION_SEP>로 이루어지는</RELATION_SEP>, <PATENT_ITEM>포토리지스트층에 양성패턴을 만든 공정</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870004806 | 1 | 1 | <ANY>진공실에서 얇고 탄력성 있는 작업편을 처리하는 동안 열 전달을 위한 장치</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870004806 | 1 | 2 | <ANY>상기 진공실에 노출되는 표면을 이용하여 처리 위치에서 상기 작업편을 지지하기 위해 플래턴 표면</ANY><RELATION_3>을 포함하는</RELATION_3> <COMPONENT>플래턴 수단</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870004806 | 1 | 3 | <ANY>상기 작업편을 상기 플래턴 표면</ANY><RELATION_399840>에 클램핑 하는</RELATION_399840> <COMPONENT>수단</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870004806 | 1 | 4 | <ANY>상기 작업편과 상기 플래턴 표면 사이의 열전달 영역내로 소정 압력의 기체</ANY><RELATION_4588>를 유입하기 위한</RELATION_4588> <COMPONENT>수단</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870004806 | 1 | 5 | <ANY>상기 열전달 영역으로부터 상기 진공실내로 상기 기체의 흐름을 금지하는</ANY> <COMPONENT>수단</COMPONENT><RELATION_8>을 구비하며</RELATION_8> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870004806 | 1 | 6 | <ANY>상기 진공실은 상기 웨이퍼의 주변 부근의 상기 플래턴 표면과 상기 열 전달 영역을 둘러싸는 밀폐 홈과 길쭉한 단면을 갖는 탄성체 링을 구비하며, 상기 홈은 상기 링의 제1고정 연부를 단단히 고정하기 위해 제1홈 부분을 포함하여 상기 링의 제2이동 연부 부분은 상기 플래턴 위로 연장되고 상기 작업편과 접촉하며, 상기 긴 길이를 갖는 길쭉한 단면부는 상기 플래턴 표면에 대해 예각으로 위치되고, 제2홈 부분은 상기 작업편이 상기 플래턴 표면에 클램프 되었을 때 굴곡변형에 의해</ANY> <COMPONENT>상기 링의 제2이도 연부 부분</COMPONENT><RELATION_101>을 수용하는</RELATION_101> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>반도체 웨이퍼 처리 시스템용 열 전달장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870004807 | 1 | 1 | <ANY>스캐닝신호에 응답하여 목표물 평면상에 스캔이된 이온의 주입량과 이온 빔의 주입량 균일성을 측정하기 위한 장치</ANY><RELATION_PRE><RELATION_2>에 있어서</RELATION_2></RELATION_PRE> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870004807 | 1 | 2 | <ANY>다수의 서로 다른 감지위치에서 이온 빔을 감지하여 감지위치에 각각에 수신된 이온빔 전류를 나타내는 빔 심호</ANY><RELATION_21>를 제공하는</RELATION_21> <COMPONENT>수단</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870004807 | 1 | 3 | <ANY>이온주입량을 측정하기 위해 시간에 대해 상기 빔 신호</ANY><RELATION_399850>를 누적 합산하는</RELATION_399850> <COMPONENT>수단</COMPONENT>과 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870004807 | 1 | 4 | <ANY>스캔 신호와 상기 빔 신호를 응답하여 상기 서로 다른 감지위치에서 빔 전류성분에 응답하여 상기 서로 다른 감지위치에서 빔 전류성분을 측정하고 이로부터 이온주입량 균일성을 측정하는</ANY> <COMPONENT>균일성 모니터 수단</COMPONENT><RELATION_6>을 구비하는</RELATION_6> 것<RELATION_SEP>을 특징으로 하는</RELATION_SEP> <PATENT_ITEM>이온 주입장치</PATENT_ITEM> | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |
| 1019870004854 | 1 | 1 | <COMPONENT>수직측면부를 갖는 디프 트렌치를 형성하기 위해 단결정 실리콘을 구멍이 뚫린 마스크를 통해 빠르고 비등방성으로 리액티브 이온 프라즈마 에칭하기 위한 공정</COMPONENT>은 | 독립항-공개공보 | 가공데이터 |