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특허 지식베이스 최종산출물

workset 2026-10-29-2-final · 표의 분류를 누르면 해당 조건으로 목록이 필터링됩니다. uuid를 클릭하면 상세 내용이 팝업으로 열립니다.

분류(category)별 통계

전체 15,000건
분류건수
전기(H섹션) 13,085
87.2%
화학(C섹션) 1,392
9.3%
기계(F섹션) 523
3.5%
초기화
검색결과 1,392건 분류: 화학(C섹션) ✕
uuid출원번호제목출원연도IPC분류
9d94a7b9-da05-541d-bae5-0a94d8ce061e 1020020010019 폐리튬이온전지의 재활용 방법 2002 C22B 화학(C섹션)
c3fd9c7c-bb4b-51ce-9369-616d22442855 1020020028193 반도체 제조용 화학기상증착 장치 2002 C23C 화학(C섹션)
9869ab21-2829-5f24-82b0-00911d2c7c7e 1020020029348 기판 상에 막을 형성하기 위한 장치 2002 C23C 화학(C섹션)
975eb462-53e7-51e4-9ae1-90573ba9f9ac 1020020034822 반도체 제조에 사용되는 화학 기상 증착 장치 2002 C23C 화학(C섹션)
ad075bf3-41d5-5175-9672-406120358daf 1020020047886 반도체 제조 장치 2002 C23C 화학(C섹션)
b0a78884-3e6f-56ed-b2df-b13e40151d96 1020020050925 고온 고압의 유기물질 처리 장치 2002 C23C 화학(C섹션)
ac32c766-8256-564b-9094-e80fcb96bac7 1020020055534 반도체 소자의 세정액 및 이를 이용한 세정 방법 2002 C11D 화학(C섹션)
984c397d-4894-51ce-a96c-700b15002ab2 1020020055679 반도체 웨이퍼 가장자리에서의 파티클 발생이 억제되는고밀도 플라즈마 화학 기상 증착 장비 2002 C23C 화학(C섹션)
911c0661-a02e-54e2-8a6a-5db53e446677 1020020059414 웨이퍼 지지용 서셉터를 구비하는 반도체 소자 제조 장치 2002 C23C 화학(C섹션)
d849a39b-5110-537c-b2de-6db32d59d22e 1020020069349 리프트 핀을 구비한 반도체 소자 제조 장치 2002 C23C 화학(C섹션)
3fabc18d-4a9f-5c78-8e59-bf4494b6a354 1020020077852 실리콘 웨이퍼의 최종 연마용 슬러리 조성물 2002 C09G 화학(C섹션)
d3da1b6a-065f-545f-a1e0-daa49df82a3d 1020027014039 니오브 소결체, 그 제조방법, 및 그것을 사용한 콘덴서 2001 C22C 화학(C섹션)
4f0d62d8-5697-522c-b815-b10a895fa445 1020030000859 화학 기상 증착 장치 및 상기 장치의 세정방법 2003 C23C 화학(C섹션)
fc006f8d-1909-56be-828e-313df6db405b 1020030001061 반도체 제조 설비 2003 C23C 화학(C섹션)
d704dca2-0808-576d-8a1e-7923a6a32689 1020030010652 화학기상 증착장비 및 이의 제조방법 2003 C23C 화학(C섹션)
63073231-ffff-5635-9bb8-bd191bde9ef9 1020030014110 스퍼터장치 2003 C23C 화학(C섹션)
ee56538d-6cac-5317-be94-2f41ff176bf1 1020030016011 박막 증착장치 2003 C23C 화학(C섹션)
b7807357-7537-54e3-b048-93563eda2c7d 1020030016012 박막 증착장치 2003 C23C 화학(C섹션)
8d3fbcb4-9e8c-5ee7-8d44-cf43e2bf153e 1020030016854 원자층 증착 장치 2003 C23C 화학(C섹션)
d73c5139-83a6-5945-8348-1e929519b458 1020030034505 반도체 소자 제조에 사용되는 증착 장치 2003 C23C 화학(C섹션)
601–620번째 행