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특허 지식베이스 가공데이터
CoT 가공 결과 목록 (server2). document_id(=출원번호)를 클릭하면 추론 과정이 팝업으로 열립니다.
| document_id | 제목 | 분류 | 문맥 | 청구항 속성 | 연도 | IPC |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1020127013700 | 업링크 및 다운링크 셀-간 간섭 조정 | 전기(H섹션) | [청구항 9] 제 6 항에 있어서,상기henb에 대한 재선택을 수행하는 것은 상기 henb로부터의 다운링크 신호들이 제 2 enb로부터의 다운링크 신호들과 간섭하기 때문에 발생하는... | 등록공보 | 2009 | H04W 36/20 |
| 1020127013712 | 이온 주입 시스템 및 방법 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 냉각 구조는 상기 도펀트 가스 공급 라인 및 상기 도펀트 가스 공급 라인을 통해 흐르는 도펀트 가스를 냉각시키도록 구성된 냉각 통로포함하는이... | 공개공보 | 2010 | H01J 37/317 |
| 1020127013750 | 형광관 대체로서의 냉 음극 발광 장치 | 전기(H섹션) | [청구항 1] 형광관 대체로서의 냉 음극 발광 장치에 있어서, 투명 관; 전자 방출 표면을 구비한 와이어 또는 막대 형상으로 이루어지며, 상기 투명 관의 중심을 통과하는 냉 음극 ... | 공개공보 | 2010 | H01J 61/56 |
| 1020127013930 | 하전 입자 다중-빔렛 리소그라피 시스템, 변조 디바이스, 및 그 제조 방법 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 도전성 엘리먼트와 상기 제 2 도전성 엘리먼트는 상기 제 1 금속화 레벨과 상기 제 2 금속화 레벨 사이의 비아 레벨에서의 적어도 하... | 등록공보 | 2010 | H01J 37/04 |
| 1020127014004 | 고체 조명 시스템용의 선택적으로 활성화되는 고속 시동/블리더 회로 | 전기(H섹션) | [청구항 1] 전력 변환기 및 고체 조명(ssl) 부하를 포함하는 ssl 픽스처(fixture)에 의해 인출되는 전류를 제어하기 위한 장치로서, 전압 정류기와 상기 고체 조명 부하... | 공개공보 | 2010 | H05B 39/08 |
| 1020127014305 | 다중―캐리어 무선 네트워크에서의 교차―캐리어／교차―서브프레임 표시 | 전기(H섹션) | [청구항 21] 무선 통신들을 위한 장치로서, 하나 이상의 서브프레임들에서 전송들과 관련된 제어 정보를 생성하기 위한 수단; 및 적어도 하나의 필드를 갖는 다운링크 제어 채널에서 ... | 등록공보 | 2010 | H04J 11/00 |
| 1020127014324 | 전자식 램프 안정기 회로 | 전기(H섹션) | [청구항 1] 제1공진주파수로 램프를 구동하기 위한 공진회로; 및 상기 공진회로에 연결되는 전압 제한회로를 포함하는 안정기 구동회로 를 포함하는 램프 점등 전압 제한을 위한 전자식... | 공개공보 | 2010 | H05B 41/02 |
| 1020127014424 | 나트륨 이온 전도성 세라믹 분리판을 갖는 고체-상태 나트륨계 2차 전지 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 전지가 약 100℃ 미만의 작동 온도기능하는,2차 전지. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 전지가 상기 작동 온도가 약 60℃ 미만인 경우기능... | 공개공보 | 2010 | H01M 2/14 |
| 1020127015503 | 캐패시터 내장 배선기판 및 부품 내장 배선기판 | 전기(H섹션) | [청구항 1] 오목부 또는 관통구멍으로서 수용부가 형성된 코어재와, 유전체층과 전극층이 교호로 적층되며 상기 코어재에 수용되는 캐패시터와, 상기 코어재의 적어도 상면측에 절연층 및... | 등록공보 | 2010 | H01L 23/12 |
| 1020127015725 | 높은 ＣＲＩ 백색광 방출 디바이스들 및 구동 회로 | 전기(H섹션) | [청구항 1] 백색광 방출 디바이스에 있어서, 400nm 내지 480nm의 범위의 우세 파장을 갖는 블루광을 발생시키도록 동작가능한 적어도 하나의 블루 고상 광 에미터 상기 블루광... | 공개공보 | 2010 | H01L 33/50 |
| 1020127016544 | 개선된 ＥＤＲＡＭ 아키텍처 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 저장 컴포넌트를 제조한 후에 제 2 도전층을 제조하는 단계를 더 포함하며, 상기 제 2 도전층은 상기 제 1 도전층과 통신하는, 임베디드 동... | 공개공보 | 2010 | H01L 21/8242 |
| 1020127016553 | 자기 터널 접합 디바이스 및 제조 | 전기(H섹션) | [청구항 24] 제23항에 있어서,적어도 하나의 반도체 다이내에통합되는,장치. [청구항 25] 제23항에 있어서,셋톱 박스, 음악 플레이어, 비디오 플레이어, 엔터테인먼트 유닛, ... | 등록공보 | H10N 50/01 | |
| 1020127016555 | 액세스 터미널 라디오 이벤트 핸들링의 브로드캐스트 제어 | 전기(H섹션) | [청구항 17] 통신을 위한 장치로서, 네트워크 엔티티로부터 메시지를 수신하도록 동작 가능한 네트워크 인터페이스 ― 상기 메시지는 라디오 이벤트 핸들링 구성 정보(radio eve... | 공개공보 | 2010 | H04W 24/00 |
| 1020127016628 | 전기신호를 스위칭하기 위한 전자기계적 마이크로스위치, 미세 전자기계적 시스템, 집적회로 및 집적회로를 생산하기 위한 방법 | 전기(H섹션) | [청구항 1] 전기신호(s), 특히 ghz 대역의 무선주파수신호(rfmems)를 스위칭하기 위한 전자기계적 마이크로스위치(1)를 포함하는 전자기계적 시스템(mems)(100, 20... | 공개공보 | 2010 | H01H 59/00 |
| 1020127016666 | 기판 반송 디바이스, 기판 반송 방법, 기판 지지 부재, 기판 유지 디바이스, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 | 전기(H섹션) | [청구항 1] 기판을 제 1 경로에서 반송함으로써 상기 기판을 소정의 기판 유지 디바이스로 반입하는 반입 디바이스; 및 기판을 상기 제 1 경로와는 상이한 제 2 경로에서 반송함으... | 공개공보 | 2010 | H01L 21/677 |
| 1020127016760 | 무선 통신들에서의 용량 증가 | 전기(H섹션) | [청구항 18] 제 17 항에 있어서,상기 송신기는, 상기 펑처링 이후, 상기 제 1 tti에 후속하는 제 2 tti 동안 상기 합성 채널에 대응하는 심볼들을 송신하도록 추가구성되... | 등록공보 | 2009 | H04L 5/00 |
| 1020127017972 | 도금 동안 기판 표면 웨트를 유지하는 프로세스 | 전기(H섹션) | [청구항 19] 제 18 항에 있어서,상기 무전해 성막 모듈은 또한 상기 층을 성막하기 이전에, 내부에 수용된 상기 기판을 프리 세정하기 위해 프리 성막 린싱 유체를 공급하도록 구... | 공개공보 | 2010 | H01L 21/288 |
| 1020127018009 | 플라즈마 챔버용 프로세스 조건 감지 장치 | 전기(H섹션) | [청구항 1] 제품(workpieces)의 프로세싱을 위한 플라즈마 챔버에서 플라즈마 프로세스 파라미터를 측정하는 감지 장치로서, 상기 플라즈마 챔버 내의 플라즈마에 의해 프로세싱... | 등록공보 | 2011 | H05H 1/46 |
| 1020127018912 | 고밀도전극 및 그 전극을 사용한 전지 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 탄소섬유는 2,000℃ 이상에서 열처리한 흑연계 탄소섬유인고밀도전극. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 탄소섬유는 산화처리를 통해 표면에 산소... | 공개공보 | 2004 | H01M 4/13 |
| 1020127020637 | 탄성중합체성 폴리실록산 보호 층을 갖는 내습성 태양광발전 디바이스 | 전기(H섹션) | [청구항 1] 광 입사면 및 배면을 갖는 태양광발전 디바이스로서, 상기 디바이스는 a) 구리, 인듐 및/또는 갈륨 중 적어도 하나를 포함하는 칼코게나이드-함유 태양광발전 층(pho... | 공개공보 | 2010 | H01L 31/0445 |