가공데이터
특허 지식베이스 가공데이터
CoT 가공 결과 목록 (server2). document_id(=출원번호)를 클릭하면 추론 과정이 팝업으로 열립니다.
| document_id | 제목 | 분류 | 문맥 | 청구항 속성 | 연도 | IPC |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1019850003554 | 매트릭스형 액정표시장치의 선택전극 구동회로 | 전기(H섹션) | [청구항 1] 일정한 간격으로 기준펄스를 제공하는 펄스발생기 양 전위 수준이 상기 기준펄스와 유사한 파형으로 변하는 전력 공급수단 및 상기 전력 공급수단에 의해 전력을 공급받는 스... | 공개공보 | 1985 | H04N 5/66 |
| 1019850003763 | 호출신호 전송장치 | 전기(H섹션) | [청구항 3] 제2항청구된 바와 같은 호출신호 전송장치에 있어서 상기 상태신호가 오프 후크상태를 나타낼 때 상기 스위치 제어장치가 상기 스위칭 장치를 리세트시키기 위한 장치를 포함... | 공개공보 | 1985 | H04M 19/02 |
| 1019850003766 | 전기통신 회의를 할 수 있는 교환시스템 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 궤환 수단이 상기 디멀티플렉서로부터 상기 다중 회로로의 경로를 따라 형성되는 것을 특징으로 하는전기통신회의할수있는교환 시스템. [청구항 3] 제... | 공개공보 | 1985 | H04M 3/56 |
| 1019850003947 | 동기 전동기용 속도 제어장치 | 전기(H섹션) | [청구항 1] 전동기의 회전속도를 지시하기 위한 수단과 전동기 상의 회전자의 것에 해당하는 회전자계의 각 위치에 대한 신호를 발생하기 위한 수단과 상기 속도 지시수단으로 부터 공급... | 공개공보 | 1985 | H02P 5/40 |
| 1019850003990 | 엣칭된 금속 전극을 사용한 비수성 전기 화학 전지 | 전기(H섹션) | [청구항 1] 음극; 음극 감극제로 구성되는 비수성 전도성 액체 전해진 및 리튬, 나트륨 및 칼륨으로부터 선택된 1종 이상의 금속으로 구성되는 고체전극의 조합으로 이루어지고, 전극... | 공개공보 | 1985 | H01M 4/139 |
| 1019850003991 | 비수성 전기 화학 전지 | 전기(H섹션) | [청구항 1] 음극; 음극 감극제; 비수성 전도성 전해질; 및 액성 암모니아내의 용액으로부터 용착시켜 제조한 다공성 리튬으로 이루어진 전극으로 구성된 비수성 전기화학 전지 [청구항... | 공개공보 | 1985 | H01M 4/136 |
| 1019850003992 | 엣칭 시킨 금속 전극을 사용한 비수성 전기 화학 전지 | 전기(H섹션) | [청구항 1] 음극; 음극 감극제로 이루어진 비수성 전도성 액체 전해질 및 리튬, 나트륨 ,칼륨 및 칼슘중에서 선택된 1종 이상의 금속으로 이루어지며, 탄소수 약 30까지의 알콜중... | 공개공보 | 1985 | H01M 4/139 |
| 1019850003993 | 비수성 전기 화학 전지 | 전기(H섹션) | [청구항 1] (a) 음극, (b) 음극감극제, (c) 비수성 전도성 전해질 및 (d) 리튬, 나트륨, 칼륨, 칼슘, 스트론튬 또는 바륨으로부터 선택된 1종이상의 금속으로 이루어진... | 공개공보 | 1985 | H01M 4/139 |
| 1019850004032 | 2중 스택 전력 접합 전계 효과 트랜지스터 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제1항에 있어서,상기채널과 공통드리프트영역은 한전도성형의 것이고, 제1스택의 채널에 접속되는 제1주단자 수단과, 제2스택의 채널에 접속되는 제2주단자수단과, 제1스택... | 공개공보 | 1985 | H01L 21/04 |
| 1019850004039 | 노치된 다중 채널 스택을 가진 옆으로의 양방향 전력 전계 효과 트랜지스터 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 소오스영역은 한 전도성 형의 반도체물질이고, 채널함유영역은 반대전도성 형의 반도체 물질이고, 소오스영역과 접합을 형성하고, 드리프트영역은 한전도... | 공개공보 | 1985 | H01L 21/02 |
| 1019850004060 | 직류 래칭 릴레이와 그 작동 방법 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제1항에 있어서,선택작동가능 직류여기회로수단은 단지속기간의 펄스형 직류여기필드를 각각의 압전플레이트소자에 각각 선택적으로 인가하여 스냅작용 스위치 장치에 의한 자연접... | 공개공보 | 1985 | H01H 45/00 |
| 1019850004266 | 자동 차단 안전기 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제1항에 있어서,바이메탈은 벌어져 떨어지는 힘에 따라서 이 바이메탈 위에 활형상면 및 오목한 홈설치되는자동차단 안전기. [청구항 3] 제1항에 있어서,바이메탈은 오목... | 공개공보 | 1985 | H01H 83/00 |
| 1019850004540 | 저 구동 전류를 사용하는 3-상 게이트 어레이용 구동기 회로 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 버퍼들을 하이 및 로우 상태로 각각 셋트시키기 위해 하이 및 로우 상태 제어신호에 응답하는 제어 전극을 갖고 있는 쇼트키 제어 트랜지스터를 각각 포함하는 3상 게이트... | 공개공보 | 1985 | H03K 19/08 |
| 1019850004934 | 가로의 차폐된 노치의 양방향 전계 효과 트랜지스터 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제1항에 있어서,채널영역은 노치에 의하여 옆으로 간격을 떼고, 노치는 fet의 정부주면으로부터 노치의 각 측에 따라 수직으로 연장하는 채널영역과 채널영역 밑에 있는 ... | 공개공보 | 1985 | H01L 29/78 |
| 1019850004936 | 전계 성형을 갖는 양방향 전력 전계 효과 트랜지스터(FET) | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제1항에 있어서,채널대역이 노치수단 횡측공간에 형성되고, 노치수단은 fet의 상부 주표면으로 부터 하방향으로 전개되며, 유동대역이 채널대역 하부와 노치수단위 바닥주변... | 공개공보 | 1985 | H01L 29/78 |
| 1019850004939 | 단락-채널 폐쇄 상태의 양방향 전력 전계 효과 트랜지스터 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제1항에 있어서,1개 채널의 게이트 개방이 또한 이 1개 채널에 인접한 유동영역에서 주어진 극성 캐리어를 끌어당겨서 이 유동영역을 통해 유도된 공필통로를 따라서는 다... | 공개공보 | 1985 | H01L 29/80 |
| 1019850004940 | 평면의 전개 형성 양방향 전력 전계 효과 트랜지스터 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제1항에 있어서,제1소오스영역은 한전도성의 형의 반도체물질이고, 제1채널함유영역은 반대전도성의 형의 반도체물질이고, 제1소오스영역과 접합을 형성하고, 드리프트영역은 ... | 공개공보 | 1985 | H01L 29/80 |
| 1019850004943 | 기판 기준의 차폐를 갖는 양방향 전력 전계 효과 트랜지스터 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제1항에 있어서,채널영역이 노치에 의해 수평 공간간격을 두고 배열되며, 또 이 노치가 상부주표면으로부터 하방향으로 전개되고, 채널영역이 일반적으로 이들 노치의 각개 ... | 공개공보 | 1985 | H01L 29/78 |
| 1019850005065 | 쌍방향성 대칭인 게이트 어레이내의 프로그램가능한 워드 길이 및 자체 검사 메모리 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제1항에 있어서,다수의 코어 셀들이 칩을 통하는 대칭면을 정하는 선정된 방향을 따라 칩내에 배치되고, 한 그룹이 대칭면의 한 측상에 배치되며 다른 그룹이 대칭면의 다... | 공개공보 | 1985 | H01L 27/10 |
| 1019850005146 | 회로소자의 피복방법 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 평판형 혹은 섬유형단부편(2)은 두개의 도전스트립(1)에 각각 형성되어 서로 대향되게 형성되어 한쪽스트립(1)의 단부편(2)과 다른쪽 스트립(1... | 공개공보 | 1985 | H05K 3/00 |