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CoT 가공 결과 목록 (server2). document_id(=출원번호)를 클릭하면 추론 과정이 팝업으로 열립니다.
| document_id | 제목 | 분류 | 문맥 | 청구항 속성 | 연도 | IPC |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1019890702402 | 정전기 위험이 없는 전자요소 검사 코넥터 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 전자요소(20)가 상기 하우징(10)과 특정된 물리적 관계에 있게 되는 때 상기 접촉부재(12)의 이동에 따른 조합을 결정하고 이에 응답하여 전... | 등록공보 | 1989 | H01R 13/70 |
| 1019900008099 | 전기적으로 소거가능하고, 전기적으로 프로그램 가능한 판독전용 메모리 셀 및 이의 제조방법 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 터널 영역이상기소오스영역의채널측면내에있는것을특징으로 하는메모리 셀. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 터널 영역이 상기 실리콘 산화물의 두꺼운... | 공개공보 | 1990 | H01L 27/115 |
| 1019900008165 | 방폭밴드와 이를 채용한 음극선관 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 대상 몸체에적당량의도전성 재료첨가된것을특징으로 하는음극선관용 방폭밴드. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 도전성 재료가그래파이트철인것을특징으로... | 공개공보 | 1990 | H01J 29/87 |
| 1019900014421 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제1항에 있어서,상기제 2 si:n 농도비는 상기 제 2 질화 실리콘층이 250℃와 300℃ 사이의 온도에서 증착될 때 상기 제 2 질화 실리콘층이 6328å의 파장... | 등록공보 | 1990 | H01L 29/786 |
| 1019900015933 | MOS형 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제1항상기 소오스영역(s)과 드레인 영역(d)이 각각, 제2도전형의 저불순물 농도인 각 제1영역(16,18)과, 상기 각 제1영역과 접하고 또 상기 게이트전극 도체층... | 공개공보 | 1990 | H01L 29/62 |
| 1019900020572 | 다층 하이브리드 회로 | 전기(H섹션) | [청구항 1] 절연층과 이 절연층상의 도전을 포함하여 구성된 캐패시터(2')와, 절연자성층과 다수의 도전성에 와이어층을 포함하여 도전성와이어층 사이에 상기 절연자성층을 개재시킴에 ... | 공개공보 | 1990 | H01L 51/00 |
| 1019910000425 | 자동-정렬접촉부및상호접속부구조물및그제조방법 | 전기(H섹션) | [청구항 16] 집적회로를 형성하는 복수의 전계효과 트랜지스터의 게이트와 소스 또는 드레인 영역을 전기적으로 접속시키기 위한 구조물에 있어서 전기 접촉부가 상기 게이트와 상기 소스... | 공개공보 | 1991 | H01L 21/00 |
| 1019910001285 | 전기회로 장치 | 전기(H섹션) | [청구항 1] 길이 방향의 양단에 2개의 개구를 가지는 가늘고 긴 케이스(30)와 케이스 내에 격납되고, 전자 및/또는 전기부품(60a, 60b, 60c; 82, tnr1, c1,... | 공개공보 | 1991 | H05B 41/00 |
| 1019910001844 | 반도체집적회로장치 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제1항에 있어서,배선이 상기 제1 및 제2워드선과 동일 도전층으로 형성됨과 동시에 상기 제1 및 제2도전막의 상부를 상기 제1방향으로 연장해서 마련되고, 상기 배선은... | 등록공보 | 1991 | H01L 27/11 |
| 1019910016828 | 열처리 장치 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 링 부재(70)(80)의 내경이 상기 웨이퍼(w)와 거의 같거나, 또는 상기 웨이퍼의 직경보다 작은 웨이퍼 보트가지는열처리 장치. [청구항 3]... | 등록공보 | 1991 | H01L 21/324 |
| 1019910020791 | ADPCM용 가청신호 유무 판정회로 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 타임슬럿 제어수단(120)은 데이터 래치(210), 상기 데이터 래치(210)에 연결된 쉬프트 레지스터들(220), d플립플롭(230), 상기 ... | 공개공보 | 1991 | H03M 7/00 |
| 1019910020992 | 처리장치 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제1항에 있어서,부가 제 3 처리유니트구비하는처리장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기제 1 및 제 2처리유니트의 분위기를 서로 절연하는 수단구비하는처리장치. [... | 등록공보 | 1991 | H01L 21/304 |
| 1019910021973 | 반도체 메모리장치 및 그 제조방법 | 전기(H섹션) | [청구항 1] 하나의 스위칭 트랜지스터와 하나의 캐패시터로 이루어진 고집적 메모리셀 구조를 갖춘 반도체 메모리장치에 있어서 상기 캐패시터는 일측벽이 개방된 우물형 스토리지전극 상기... | 공개공보 | 1991 | H01L 27/108 |
| 1019910701775 | 전자기 안테나 시준기 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 유전부재가 1.15 내지 2.25의 유전상수특징으로 하는집속장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 유전부재는 폴리머, 코폴리머 또는 폴리에틸... | 공개공보 | 1991 | H01Q 13/02 |
| 1019920009189 | 원격 정보처리 시스템 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제1항에 있어서,선로다중접속장치가 상기 가입자선로와 연결되며, 상기 가입자의 훅크 온/오프상태를 감지하는 라인상태 감지부와, 상기 시스템 제어부와 연결되며, 상기 시... | 공개공보 | 1992 | H04M 11/00 |
| 1019920010553 | 반도체 칩 모듈 및 그 제조 방법 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 제1기판이 고정된 장착부 및 상기 캡의 가장자리부분이 고정된 고정부를 지니는 동시에, 상기 반도체칩을 상기 캡과 함께 에워싸는제2기판포함하는것을... | 공개공보 | 1992 | H01L 23/367 |
| 1019920016223 | 정류된 유도부하를 위한 구동회로 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 구동트랜지스터를 통한 부하전류로 인한 턴오프 과도현상이 상기 입력 전압의 변동율에 의해 제어될 수있는것을특징으로 하는회로. [청구항 3] 제2항... | 공개공보 | 1992 | H02P 5/00 |
| 1019920016755 | 고속의 스위치 매트릭스에 의해 상호 접속되는 다수의 다루기 쉬운 비동기 프로그래머블 로직 블록을 갖는 프로그래머블 로직 디바이스 | 전기(H섹션) | [청구항 1] 각기 다수의 입력라인과 다수의 출력라인을 갖는 다수의 비동기 프로그래머블 로직 블록과 상기 비동기 프로그래머블 로직 블록에 기능적으로 결합되어 상기 비동기 프로그래머... | 공개공보 | 1992 | H03K 19/177 |
| 1019920023978 | 송수화기와 원격 지국을 가진 적외선 전화기 | 전기(H섹션) | [청구항 2] 제1항에 있어서,주파수발진기(36)의 평균주파수는 변화시킬 수 있고, 잘 형성된 주파수(채널선택됨을특징으로하는적외선전화기. [청구항 3] 제2항에 있어서,장치의 주파... | 공개공보 | 1992 | H04B 10/114 |
| 1019930023634 | 수용관로 관구마개 장치 | 전기(H섹션) | [청구항 1] 케이블이 포설되어 있는 수용관로내로 물이 침투되는 것을 방지하기 위한 수용관로 관구마개 장치에 있어서 상기 케이블을 여러겹으로 감싸고 있으며 중앙부가 물을 흡수하면 ... | 공개공보 | 1993 | H02G 9/06 |